[發明專利]超低功耗線性穩壓器驅動電路

無效

• 申請號: 201210470453.1
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN102981543A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 程軍;王達之;李佳佳;孟慶達
• 申請（專利權）人: 西安三馀半導體有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 王品華

1.一種超低功耗線性穩壓器驅動電路，包括：源跟隨器電路（1）和尾電流源電路（2）；尾電流源電路（2）輸出尾電流信號，與源跟隨器電路（1）相連；源跟隨器電路（1）輸出電壓驅動信號P_G，其特征在于：尾電流源電路（2）連接有采樣電路（3），用于輸出采樣負載電流信號Ic；?

所述尾電流源電路（2），由固定電流源（21）和動態電流源（22）組成，該固定電流源（21）的輸入端G與芯片內部提供的偏置電壓VBIAS相連，該固定電流源（21）的輸出端H作為尾電流源電路（2）的輸出端，與源跟隨器電路（1）相連；該動態電流源（22）的輸入端E與采樣電路（3）輸入的采樣電流信號Ic相連，該動態電流源（22）的輸出端F與固定電流源（21）的輸出端H相連，輸出尾電流信號。

2.根據權利要求1所述的線性穩壓器驅動電路，其特征在于動態電流源（22），包括兩個NMOS管，即第四NMOS管M4和第五NMOS管M5；?

所述第四NMOS管M4和第五NMOS管M5，其柵極相連構成電流鏡結構，并與第四NMOS管M4的漏極相連；其源極相連，并連接到地；?

所述第四NMOS管M4的漏極作為輸入端E，并與采樣電路（3）輸入的采樣電流信號Ic相連；?

所述第五NMOS管M5的漏極作為輸出端F連接到固定電流源（21）的輸出端H。?

3.根據權利要求1所述的線性穩壓器驅動電路，其特征在于采樣電路（3），包括一個PMOS管、兩個NMOS管，即第三PMOS采樣管M3、第二NMOS管M2、第六NMOS管M6和一個反饋電阻R1；?

所述第二NMOS管M2，其柵極作為采樣電路（3）的第一輸入端A，與芯片內部產生的電壓信號V_D相連；其漏極與芯片輸入的電源電壓Vin相連；其源極與第六NMOS管M6的漏極相連；?

所述第六NMOS管M6，其柵極作為采樣電路（3）的第二輸入端B，與芯片內部產生的偏置電壓VBIAS相連；其源極連接到地；?

所述反饋電阻R1跨接于芯片輸入的電源電壓Vin和第三PMOS采樣管M3的源極之間，構成帶源極負反饋電路，保證采樣電流不會過大；?

所述第三PMOS采樣管M3，其柵極與第二NMOS管M2的源極相連；其漏極作?為采樣電路（3）的輸出端C，連接到動態電流源電路（22）的輸入端E。?

4.根據權利要求1所述的線性穩壓器驅動電路，其特征在于源跟隨器電路（1），由第一NMOS管M1構成；該第一NMOS管M1的柵極作為輸入端J，與芯片內部產生的電壓信號V_D相連，其漏極與芯片輸入的電源電壓Vin相連，其源極作為輸出端I，輸出電壓驅動信號P_G。?

5.根據權利要求3或4所述的線性穩壓器驅動電路，其特征在于采樣電路（3）中的第二NMOS管M2與構成源跟隨器電路（1）的第一NMOS管M1類型相同、寬長比成比例，且柵極電壓同為芯片內部產生的電壓信號V_D，以保證第二NMOS管M2的源極電壓P_GX與第一NMOS管M1的漏極電壓P_G變化一致。?

6.根據權利要求3所述的線性穩壓器驅動電路，其特征在于采樣電路（3）中的第三PMOS采樣管M3與其所在芯片內部的PMOS功率管P_H類型相同、寬長比成比例，以保證第三PMOS采樣管M3的采樣電流信號Ic與芯片的負載電流Iload變化一致。?