1.一種對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢ǎ?/p>

正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生正溫度系數(shù)電流；

負溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生負溫度系數(shù)電流；

其特征在于，在所述正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電源中引出一控制電壓加到所述負溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元中一正溫度系數(shù)的電阻上，用于產(chǎn)生負溫度系數(shù)電流，然后將所述正、負溫度系數(shù)電流鏡像后疊加輸出。

2.如權(quán)利要求1所述的對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢稣郎囟认禂?shù)電流產(chǎn)生單元包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一三極管、第二三極管、第一電阻及一運算放大器，兩個成比例關(guān)系的第一電流及第二電流分別流進所述第一NMOS晶體管及第二NMOS晶體管的漏端，所述第一NMOS晶體管的源端與所述第一三極管的發(fā)射極相連，所述第二NMOS晶體管的源端經(jīng)過所述第一電阻與所述第二三極管的發(fā)射極相連，所述第一三極管及第二三極管的集電極接地，所述第一NMOS晶體管及所述第二NMOS晶體管的柵極分別和各自的漏極連接在一起，所述第一NMOS晶體管及所述第二NMOS晶體管的柵極分別于所述運算放大器的正負極輸入端相接，所述運算放大器的輸出端控制第一電流及第二電流，形成負反饋，所述第一NMOS晶體管或所述第二NMOS晶體管輸出一控制電壓到所述負溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元。

3.如權(quán)利要求1所述的對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢鲐摐囟认禂?shù)電流產(chǎn)生單元包括第三NMOS晶體管及第二電阻，所述正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元輸出一控制電壓到所述第三NMOS晶體管的柵極，所述第三NMOS晶體管的源端經(jīng)過所述第二電阻再接地，第三電流流進所述第三NMOS晶體管的漏端。

4.如權(quán)利要求2所述的對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢龅谝籒MOS晶體管及所述第二NMOS晶體管保持單個相同的類型，寬度和長度，他們的個數(shù)比例為1∶M。

5.如權(quán)利要求4所述的對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢龅谝籒MOS晶體管及所述第二NMOS晶體管一模一樣。

6.如權(quán)利要求2所述的對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢谝浑娏骷暗诙娏鞔笮〕烧麛?shù)比例關(guān)系。

7.如權(quán)利要求6所述的對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢谝浑娏骷暗诙娏鞔笮∠嗤?/p>

8.如權(quán)利要求2所述的對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢龅谝浑娮杓八龅诙娮桀愋拖嗤柚党烧麛?shù)比例關(guān)系。

9.如權(quán)利要求8所述的對基準電流的溫度系數(shù)進行補償?shù)碾娐罚涮卣髟谟冢龅谝浑娮杓八龅诙娮枳柚迪嗤?/p>