[發(fā)明專利]晶體管、顯示裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210470044.1
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103151460B
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛倉信一;野元章裕;安田亮一;湯本昭;米屋伸英;辻川真平
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11290
• 代理人: 陳桂香,褚海英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及適合于半導(dǎo)體層由有機(jī)半導(dǎo)體材料形成的情況的晶體管、顯示裝置和電子設(shè)備。

具體地，本發(fā)明涉及在薄膜晶體管（TFT）的上側(cè)上具有電極（例如像素電極）的顯示裝置和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

薄膜晶體管（TFT）用作大量電子設(shè)備（例如顯示器）的驅(qū)動(dòng)裝置。這種TFT包括設(shè)置在襯底上的柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極。TFT的半導(dǎo)體層由無機(jī)材料或有機(jī)材料形成。由有機(jī)材料形成的半導(dǎo)體層（有機(jī)半導(dǎo)體層）預(yù)期在成本、柔性等方面具有優(yōu)勢，并且正在進(jìn)行研究（例如，APPLIED PHYSICS LETTERS,2005,87,193508和APPLIED PHYSICS LETTERS,2009,94,055304）。

有源矩陣顯示裝置（例如，K.Akamatsu等人在SID 11DIGEST第198頁（2011））在襯底上以下列順序包括TFT、層間絕緣膜、像素電極、顯示層和公共電極。迄今為止，無機(jī)半導(dǎo)體材料（例如非晶硅（α-Si））用于TFT的半導(dǎo)體膜。但是近年來，正在積極地研究使用有機(jī)半導(dǎo)體材料的有機(jī)TFT。

發(fā)明內(nèi)容

期望能缺陷更少且效率更高地制造這種使用有機(jī)半導(dǎo)體材料的TFT。

期望高產(chǎn)量地制造晶體管、顯示裝置和電子設(shè)備。

此外，期望由更低的功率來驅(qū)動(dòng)用于顯示裝置的TFT。在無機(jī)TFT領(lǐng)域中，盡管研究了抑制驅(qū)動(dòng)電壓的技術(shù)，但是很難將無機(jī)TFT的技術(shù)用于有機(jī)TFT。具體地，期望改進(jìn)有機(jī)TFT的TFT特性。

還期望提供能夠由更低功率驅(qū)動(dòng)的顯示裝置和具有該顯示裝置的電子設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供晶體管，其包括：柵電極；面對柵電極的半導(dǎo)體層，絕緣層位于半導(dǎo)體層和柵電極之間；一對源漏電極，其電連接到半導(dǎo)體層；和接觸層，其設(shè)置在一對源漏電極中的每一者與半導(dǎo)體層之間的載流子移動(dòng)路徑中，接觸層的端表面被源漏電極覆蓋。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供第一顯示裝置，其包括多個(gè)像素和驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素的晶體管的顯示裝置。晶體管包括：柵電極；面對柵電極的半導(dǎo)體層，絕緣層位于半導(dǎo)體層和柵電極之間；一對源漏電極，其電連接到半導(dǎo)體層；和接觸層，其設(shè)置在一對源漏電極中的每一者與半導(dǎo)體層之間的載流子移動(dòng)路徑中，接觸層的端表面被源漏電極覆蓋。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供具有顯示裝置的第一電子設(shè)備。顯示裝置包括多個(gè)像素和驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素的晶體管的顯示裝置。晶體管包括：柵電極；面對柵電極的半導(dǎo)體層，絕緣層位于半導(dǎo)體層和柵電極之間；一對源漏電極，其電連接到半導(dǎo)體層；和接觸層，其設(shè)置在一對源漏電極中的每一者與半導(dǎo)體層之間的載流子移動(dòng)路徑中，接觸層的端表面被源漏電極覆蓋。

在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶體管、第一顯示裝置、和第一電子設(shè)備中，接觸層的端表面被源漏電極覆蓋。因此，在源漏電極的形成處理之后的制造處理中保護(hù)接觸層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供第二顯示裝置，其包括：包括半導(dǎo)體膜的晶體管，半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)域；和電極，其電連接到晶體管并覆蓋溝道區(qū)域。在電極的平面區(qū)域內(nèi)，溝道區(qū)域的構(gòu)成平面形狀的側(cè)邊中的一對或多對彼此面對的側(cè)邊定位成面對電極。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供具有顯示裝置的第二電子設(shè)備。顯示裝置包括：包括半導(dǎo)體膜的晶體管，半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)域；和電極，其電連接到晶體管并覆蓋溝道區(qū)域。在電極的平面區(qū)域內(nèi)，溝道區(qū)域的構(gòu)成平面形狀的側(cè)邊中的一對或多對彼此面對的側(cè)邊定位成面對電極。

在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二顯示裝置和第二電子設(shè)備中，在電極的平面區(qū)域內(nèi)，溝道區(qū)域的至少一對彼此面對的側(cè)邊定位成面對電極。因此，溝道區(qū)域設(shè)置在更靠近電極的中心部分的位置上。

在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶體管、第一顯示裝置、和第一電子設(shè)備中，接觸層的端表面被源漏電極覆蓋。因此，防止接觸層在制造處理中受到損壞。因此，抑制由對接觸層的損壞造成的制造故障，因此能夠提高產(chǎn)量。

在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二顯示裝置和第二電子設(shè)備中，在電極的平面區(qū)域內(nèi)，溝道區(qū)域的至少一對彼此面對的側(cè)邊定位成面對電極。因此，改進(jìn)溝道區(qū)域的各向同性。結(jié)果，能夠提高TFT特性并節(jié)約消耗功率。

應(yīng)當(dāng)理解，前文的一般描述和下文的詳細(xì)描述都是示例性的，旨在對要求保護(hù)的技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步說明。

附圖說明

附圖用來提供對公開內(nèi)容的進(jìn)一步理解，并且并入說明書中并組成說明書的一部分。附圖示出實(shí)施例，并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。