[發(fā)明專利]一種接口電路設計方法、系統(tǒng)及接口電路有效

申請?zhí)枺?/td>	201210469994.2	申請日：	2012-11-19
公開（公告）號：	CN102932712A	公開（公告）日：	2013-02-13
發(fā)明（設計）人：	熊延萍;俞松耀;徐建軍;王娜	申請（專利權）人：	北京經(jīng)緯恒潤科技有限公司
主分類號：	H04R3/00	分類號：	H04R3/00
代理公司：	北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227	代理人：	王寶筠
地址：	100101 北京***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種接口電路設計方法系統(tǒng) 電路
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【權利要求書】：

1.一種接口電路設計方法，其特征在于，包括：

根據(jù)對接口電路試驗的靜電模型和所述靜電模型對應的強度等級，選取與所述靜電模型和所述強度等級對應的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），以對駐極體麥克風（MIC）進行靜電防護；

根據(jù)駐極體MIC中的場效應管（FET）的工作狀態(tài)和輸出增益，選取與所述FET的漏極和源極連接的偏置電阻；

獲取噪聲衰減，選取所述噪聲衰減對應的低通濾波器，并調整所述低通濾波器的參數(shù)，以選取所述FET的外加偏置電源對應的低通濾波器；

選取帶通濾波器并調整所述帶通濾波器參數(shù)，得出調整后的帶通濾波器，由所述調整后的帶通濾波器對接口電路的輸出噪聲進行濾波；

選取射頻濾波電容進行射頻降噪濾波。

2.根據(jù)權利要求1所述的接口電路設計方法，其特征在于，所述選取與所述FET的漏極和源極連接的偏置電阻包括：

依據(jù)公式R_b＜（（V_偏置-1）/I_DS-R’）/2得出一個偏置電阻R_b，其中所述R’為駐極體MIC的內置電阻，V_偏置為所述FET的外加偏置電源，I_DS為駐極體MIC的最大電流損耗;

依據(jù)U_b=2^0.5*10^（A+B)/20/R_b’*2*R_b得到偏置電阻R_b對應的交流輸出電壓峰峰值U_b，R_b’為FET的外接偏置電阻，其中，A為駐極體MIC的靈敏度值，B為聲壓；

比較U’和U_b，在U’不小于U_b的情況下，將得出的R_b作為最佳差分偏置電阻；在U’小于U_b的情況下，用U_b代替U’，返回執(zhí)行依據(jù)U_b=2^0.5*10^（A+B)/20/R_b’*2*R_b得到交流輸出電壓峰峰值U_b對應的偏置電阻R_b；其中所述U’為駐極體MIC對應的接收端的最大輸入電壓；

或者，所述選取與所述FET的漏極和源極連接的偏置電阻包括：

依據(jù)公式R_b＜（（V_偏置-1）/I_DS-R’）/2得出一個偏置電阻R_b，其中所述R’為駐極體MIC內置的電阻，V_偏置為所述FET的外加偏置電源，I_DS為駐極體MIC的最大電流損耗;

依據(jù)公式U_b=2^0.5*10^{（A+B+△B)/20}/R_b’*2*R_b得到偏置電阻R_b對應的交流輸出電壓峰峰值U_b，R_b’為FET的外接偏置電阻，A為駐極體MIC的靈敏度值，B為聲壓，△B為在B的差值；

比較U’和U_b，在U’不小于U_b的情況下，將得出的R_b作為最佳差分偏置電阻；在U’小于U_b的情況下，用U_b代替U’，返回執(zhí)行依據(jù)U_b=2^0.5*10^{(A+B+△B)/20}/R_b’*2*R_b得到交流輸出電壓峰峰值U_b對應的偏置電阻R_b；其中所述U’為駐極體MIC對應的接收端的最大輸入電壓。