[發明專利]背面鈍化晶體硅太陽能電池的制備方法無效
| 申請號： | 201210469616.4 | 申請日： | 2012-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN102969398A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 蔡二輝;劉偉;余濤;陳筑;劉曉巍 | 申請（專利權）人： | 寧波尤利卡太陽能科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315177 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背面 鈍化 晶體 太陽能電池 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種背面鈍化晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）將石墨舟中的石墨擋板進行加工，形成鏤空的網狀結構；
（2）將硅片經制絨、擴散制作PN結、周邊刻蝕、去除磷硅玻璃后裝在硅片花籃里等待鍍膜；
（3）將經過步驟（2）處理后的硅片裝在步驟（1）加工后的石墨舟中，使得硅片背面貼緊石墨擋板，且使用鍍膜設備對硅片背面無遮擋區域和正面同時鍍上氮化硅薄膜；
（4）將步驟（3）中兩面都鍍好膜的硅片進行絲網印刷背面電極、背面電場和正面電極，然后共燒結，制作成背面鈍化晶體硅太陽電池。
2.根據權利要求1所述的背面鈍化晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述的石墨擋板網狀孔洞排列均勻。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于寧波尤利卡太陽能科技發展有限公司，未經寧波尤利卡太陽能科技發展有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210469616.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：組合式絕緣裝置
- 下一篇：一種低頻變壓器線包與保險絲連接結構
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
