[發明專利]一種大功率LED燈具

有效

• 申請號: 201210469424.3
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN102927481A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 俞國宏
• 申請（專利權）人: 俞國宏
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V29/00;H01L33/64;H01L33/38;F21Y101/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種LED燈具，尤其是涉及一種大功率LED燈具。

背景技術

將LED直接作為照明燈具具有以下優點：1、LED消耗能量較同光效的白熾燈減少?80%；2、LED無有害金屬汞，對環境不會污染；3、LED?使用低壓電源，供電電壓在?6-24V?之間，根據產品不同而異，所以它是一個比使用高壓電源更安全的電源。

使用大功率LED可以在滿足照明亮度的效果要求的同時減少使用LED使用的數量，但現有大功率LED照明燈具存在的缺陷是大功率LED會釋放出大量的熱量，并且熱量不易排出燈具本體，時間長容易影響LED燈具的使用壽命。

此外，在水平方向N型電極所處位置與P型電極相距較遠，N型電極對其下方的PCB板的位置設計有苛刻的要求，影響到封裝優良率。

N型電極位置比P型電極位置高很多，導致其與下方的PCB板之間的間隙較大，在焊錫時很容易使得N級焊錫層過長而造成虛焊或脫焊的發生。

為了使得N型電極與其下方的PCB板可以進行焊接，需要去掉很大一部分發光區，影響到LED芯片的發光效率。

發明內容

本發明設計了一種大功率LED燈具，其解決的技術問題是（1）現有大功率LED照明燈具存在的缺陷是大功率LED會釋放出大量的熱量，并且熱量不易排出燈具本體，時間長容易影響LED燈具的使用壽命；（2）N型電極區域相對小，很難與PCB板的相應區域對位，會影響到封裝效果和LED產品的優良率；（3）N型電極位置比P型電極位置高很多，很容易造成虛焊、脫焊情形；（4）為制作N型電極，往往要人為地去掉很大一部分有源區，這樣大大地減少了器件的發光面積，直接影響了LED發光效率。

為了解決上述存在的技術問題，本發明采用了以下方案：?

一種大功率LED燈具，包括散熱裝置和大功率LED（20），所述散熱裝置包括中空固定管（31）和多個散熱鰭片（32），所述多個散熱鰭片（32）以層式結構分布在所述中空固定管（31）上，每一層的多個散熱鰭片（32）以散射的方式固定在所述中空固定管（31）上，在散熱裝置的上方連接有所述大功率LED（20）和燈罩（10），所述大功率LED（20）為倒裝結構的LED芯片。

進一步，所述倒裝結構的LED芯片包括P型電極區和N型電極區，所述P型電極區從下至上依次包括襯底（1）、緩沖層（2）、N型層（3）、N型分別限制層（4）、發光區層（5）、P型分別限制層（6）、P型層（7）、P型歐姆接觸層（8）、光反射層（9）以及絕緣介質膜（13），所述N型電極區從下至上依次包括襯底（1）、緩沖層（2）、N型層（3）以及絕緣介質膜（13），P型電極（21）下端穿過所述絕緣介質膜（13）與光反射層（9）連接，P型電極（21）上端與第一PCB板（24）連接，所述N型電極（22）為階梯結構；所述N型電極（22）的下端穿過所述絕緣介質膜（13）與所述N型層（3）連接；所述N型電極（22）的中間部分貼在垂直部分的絕緣介質膜（13）上；所述N型電極（22）的上端位于最上方絕緣介質膜（13）之上并且向P型電極（21）的位置延伸，所述N型電極（22）的上端與第二PCB板（23）連接，所述N型電極（22）的上端與P型電極（21）存在相同高度的或近似高度的共同錫焊面。

進一步，所述襯底（1）由上凹孔結構（26）和下凹孔結構（27）組合而成。

進一步，所述上凹孔結構（26）的各個凹孔直徑大于都所述下凹孔結構（27）各個凹孔的直徑。

進一步，所述P型電極（21）上端通過焊錫與第一PCB板（24）進行固定，所述P型電極（21）通過所述第一PCB板（24）與散熱板（25）進行固定連接。

進一步，所述N型電極（22）上端通過焊錫與第二PCB板（23）進行固定，所述N型電極（22）通過所述第二PCB板（23）與散熱板（25）進行固定連接。

進一步，所述每一層的散熱鰭片（32）為八個，相鄰二個所述散熱鰭片（32）之間形成的角度為45°。

進一步，所述散熱鰭片（32）為直型中空銅管或波浪型中空銅管。

進一步，還包括一基座（40），所述中空固定管（31）底端固定在所述基座（40）上，所述基座（40）中設有一微型風扇（50）。

該大功率LED燈具與傳統的大功率LED燈具相比，具有以下有益效果：