[發(fā)明專利]一種共陽極小功率可控硅模塊及其制作工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210469324.0
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN102969293A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 潘建英;伍林;左亞兵
• 申請（專利權）人: 宜興市環(huán)洲微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 徐冬濤

1.一種共陽極小功率可控硅模塊，包括引線框架（1）和可控硅芯片（2），其特征在于所述的可控硅芯片（2）構成芯片組（3）焊接在引線框架（1）上，可控硅芯片（2）下側面的陽極朝向引線框架（1），可控硅芯片（2）上側面的陰極和控制極分別通過連線（4）與對應的引腳（5）焊接相連；上述引線框架（1）、芯片組（3）和連線（4）的外側設有覆蓋保護引線框架（1）、芯片組（3）和連線（4）的環(huán)氧料（6）。

2.根據(jù)權利要求1所述的共陽極小功率可控硅模塊，其特征在于所述連線（4）的兩端與可控硅芯片（2）上側面的陰極、控制極和與可控硅芯片（2）上側面的陰極、控制極對應的引腳（5）之間采用超聲波焊接相連。

3.根據(jù)權利要求1所述的共陽極小功率可控硅模塊，其特征在于所述的芯片組（3）由兩塊或兩塊以上相互之間獨立設置的可控硅芯片（2）構成。

4.根據(jù)權利要求1所述的共陽極小功率可控硅模塊，其特征在于所述的引線框架（1）采用銅制成。

5.根據(jù)權利要求1所述的共陽極小功率可控硅模塊，其特征在于所述的連線（4）采用銅線或者鋁線制成。

6.一種根據(jù)權利要求1-5任一所述的共陽極小功率可控硅模塊制作工藝，其特征在于所述的制作工藝步驟如下：

（a）、首先將兩塊或兩塊以上相互之間獨立設置的可控硅芯片（2）構成芯片組（3），并將芯片組（3）中的可控硅芯片（2）的陽極所在面朝向引線框架（1）并焊接在引線框架（1）上；

（b）、接著用連線（4）將每個可控硅芯片（2）的陰極、控制極與對應的引腳（5）用超聲波進行焊接相連；

（c）、然后采用環(huán)氧料（6）將引線框架（1）、芯片組（3）和連線（4）進行覆蓋對引線框架（1）、芯片組（3）和連線（4）進行保護，制成共陽極小功率可控硅模塊。

7.根據(jù)權利要求6所述的共陽極小功率可控硅模塊制作工藝，其特征在于所述引腳（5）的一端位于環(huán)氧料（6）的外側。