[發(fā)明專利]一種超級(jí)結(jié)MOSFET、該超級(jí)結(jié)MOSFET的形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210468002.4
• 申請(qǐng)日: 2012-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN103824884A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘樹理;朱超群;萬祎;曾愛平;陳宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括元胞區(qū)和終端區(qū)，所述終端區(qū)包圍所述元胞區(qū)，所述元胞區(qū)內(nèi)和終端區(qū)內(nèi)分別形成有間距相等的直條型溝槽，所述溝槽內(nèi)形成有第一導(dǎo)電類型的第一外延層，所述溝槽之間為第二導(dǎo)電類型的第二外延層，所述終端區(qū)各邊的溝槽沿從外向里的方向的排布方式一致。

2.如權(quán)利要求1所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述終端區(qū)各邊的溝槽沿從外向里的方向排布，且所述排布方向與從外向里的方向垂直。

3.如權(quán)利要求1所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述終端區(qū)各邊的溝槽沿從外向里的方向排布，且所述排布方向與從外向里的方向平行。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述橫向溝槽與縱向溝槽交匯處，橫向溝槽與縱向溝槽的間距是兩個(gè)同方向溝槽間距的一半。

5.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述元胞區(qū)和終端區(qū)的單位面積內(nèi)，所述溝槽占據(jù)的面積比例相同。

6.如權(quán)利要求5所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述元胞區(qū)和終端區(qū)的單位面積內(nèi)，所述溝槽占據(jù)的面積比例相同為1∶4-1∶2。

7.一種超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供襯底，所述襯底為第一導(dǎo)電類型；

S2：在所述襯底上形成第二導(dǎo)電類型的第二外延層，在所述第二外延層內(nèi)形成元胞區(qū)和終端區(qū)，所述終端區(qū)包圍所述元胞區(qū)；

S3：在所述元胞區(qū)內(nèi)和終端區(qū)內(nèi)分別形成間距相等的直條型溝槽，所述終端區(qū)各邊的溝槽沿從外向里的方向的排布方式一致，在所述溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電類型的第一外延層。

8.如權(quán)利要求7所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述終端區(qū)各邊的溝槽沿從外向里的方向排布，且所述排布方向與從外向里的方向垂直。

9.如權(quán)利要求7所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述終端區(qū)各邊的溝槽沿從外向里的方向排布，且所述排布方向與從外向里的方向平行。

10.如權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述橫向溝槽與縱向溝槽交匯處，橫向溝槽與縱向溝槽的間距是兩個(gè)同方向溝槽間距的一半。

11.如權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述元胞區(qū)和終端區(qū)的單位面積內(nèi)，所述溝槽占據(jù)的面積比例相同。

12.一種超級(jí)結(jié)MOSFET，其特征在于，MOSFET結(jié)構(gòu)包括：

襯底、第一外延層和根據(jù)如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)得到的第二外延層，所述第一外延層將所述第二外延層分隔為兩部分，第一外延層和第二外延層形成在所述襯底上，所述襯底為第一導(dǎo)電類型，所述第一外延層為第一導(dǎo)電類型，所述第二外延層為第二導(dǎo)電類型；

第一擴(kuò)散區(qū)，所述第一擴(kuò)散區(qū)形成在所述第一外延層內(nèi)及與所述第一外延層相鄰的一部分第二外延層內(nèi)，所述第一擴(kuò)散區(qū)為第一導(dǎo)電類型；

第二擴(kuò)散區(qū)，所述第二擴(kuò)散區(qū)形成在所述第一擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，所述第二擴(kuò)散區(qū)為第二導(dǎo)電類型，所述第二擴(kuò)散區(qū)與第二外延層之間的第一擴(kuò)散區(qū)為導(dǎo)電溝道；

柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層形成在所述第二外延層、導(dǎo)電溝道及一部分第二擴(kuò)散區(qū)之上；

柵極，所述柵極形成在所述柵介質(zhì)層之上；

介質(zhì)層，所述介質(zhì)層形成在所述柵極之上，所述介質(zhì)層上具有貫通至所述第一擴(kuò)散區(qū)的接觸孔；

源極金屬層，所述源極金屬層形成在所述介質(zhì)層及第一擴(kuò)散區(qū)之上，所述源極金屬層通過接觸孔與第一擴(kuò)散區(qū)相連；

漏極金屬層，所述漏極金屬層形成在襯底之下。