[發明專利]含有鹵化烷基鋅的氧化鋅前驅體和利用該前驅體沉積氧化鋅類薄膜的方法

有效

• 申請號: 201210467947.4
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103122453A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 樸洙昊;金序炫;樸正佑;樸兌正;劉泳祚;尹根尚;崔殷豪;金榮云;金保京;申亨秀;尹承鎬;李相度;李相益;任相俊
• 申請（專利權）人: 三星康寧精密素材株式會社
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種用于氧化鋅類薄膜沉積的氧化鋅前驅體，所述氧化鋅前驅體包含具有下通式的鹵化烷基鋅：

R-Zn-X，

其中R為烷基C_nH_2n+1，且X為鹵素基團。

2.權利要求1所述的氧化鋅前驅體，其中所述烷基中的n為1至4的數值。

3.權利要求2所述的氧化鋅前驅體，其中所述烷基包括選自由甲基、乙基、異丙基和叔丁基組成的組中的一種。

4.權利要求1所述的氧化鋅前驅體，其中所述鹵素基團包括選自由F、Br、Cl和I組成的組中的一種。

5.權利要求1所述的氧化鋅前驅體，其中所述烷基包括甲基或乙基，且所述鹵素基團包括Cl。

6.權利要求1所述的氧化鋅前驅體，所述前驅體包括用于常壓化學氣相沉積法的氧化鋅前驅體。

7.一種沉積氧化鋅類薄膜的方法，所述方法包括：

將基板裝入沉積室中；且

將權利要求1所述的包含鹵化烷基鋅的氧化鋅前驅體和氧化劑供給到所述沉積室中并通過化學氣相沉積法在所述基板上形成氧化鋅類薄膜。

8.權利要求7的方法，其中所述氧化鋅類薄膜通過常壓化學氣相沉積法沉積在所述基板上。

9.權利要求7的方法，其中將所述包含鹵化烷基鋅的氧化鋅前驅體氣化，然后以氣體狀態供給到所述沉積室中。

10.權利要求7的方法，其中所述氧化劑包括選自由氧氣、臭氧氣、氧化氮氣、水蒸汽和醇蒸汽組成的組中的至少一種。

11.權利要求7的方法，其中所述基板包括選自由硅基板、藍寶石基板、陶瓷基板、玻璃基板、金屬氧化物基板和金屬基板組成的組中的一種。