[發明專利]基于Y形結構的太赫茲功率合成二倍頻電路

有效

• 申請號: 201210467894.6
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN102946228A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 楊非;王宗新;孟洪福;崔鐵軍;孫忠良
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03B19/14
• 分類號: H03B19/14
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 繆友菊

1.一種基于Y形結構的太赫茲功率合成二倍頻電路，其特征在于，包括金屬上基座（1）和金屬下基座（2），金屬上基座（1）和金屬下基座（2）形成的腔體內設置輸入波導結構（3）、兩組合成通道（4）、輸出波導結構（5）和兩組直流偏置電路（6）；所述輸入波導結構（3）和輸出波導結構（5）為Y形，兩組合成通道（4）和直流偏置電路（6）分別沿輸入波導結構（3）和輸出波導結構（5）Y形的中心線鏡像設置，輸入波導結構（3）Y形的兩端分別連接對應合成通道（4）的輸入端，輸出波導結構（5）Y形的兩端分別連接對應合成通道（4）的輸出端，兩組合成通道（4）內分別懸置薄膜芯片（7），直流偏置電路（6）上設置芯片電容（61），芯片電容（61）和薄膜芯片（7）相連。

2.根據權利要求1所述的基于Y形結構的太赫茲功率合成二倍頻電路，其特征在于：所述薄膜芯片（7）包括芯片本體（71）和分別設置于芯片本體（71）上的第一梁式引線（72）、第二梁式引線（73）、第三梁式引線（74）、太赫茲肖特基管對（75）、輸入耦合單元（76）、輸出耦合單元（77）和低通濾波器（78）；所述芯片本體（71）的首端和末端分別通過第一梁式引線（72）和第二梁式引線（73）定位在對應的合成通道（4）內，太赫茲肖特基管對（75）的兩端通過第一梁式引線（72）連接到金屬下基座（2）上以形成直流和射頻回路，輸入耦合單元（76）設置于太赫茲肖特基管對（75）的中間，輸出耦合單元（77）和輸入耦合單元（76）相連，低通濾波器（78）和輸出耦合單元（77）相連，低通濾波器（78）通過第三梁式引線（74）和芯片電容（61）相連以進行直流饋電，輸入耦合單元（76）和輸入波導結構（3）相連，輸出耦合單元（77）和輸出波導結構（5）相連。

3.根據權利要求2所述的基于Y形結構的太赫茲功率合成二倍頻電路，其特征在于：所述薄膜芯片（7）為砷化鎵薄膜，薄膜芯片（7）的厚度為10～15μm。

4.根據權利要求2所述的基于Y形結構的太赫茲功率合成二倍頻電路，其特征在于：所述太赫茲肖特基管對（75）的拓撲結構為反串聯結構。

5.根據權利要求1所述的基于Y形結構的太赫茲功率合成二倍頻電路，其特征在于：所述金屬上基座（1）和金屬下基座（2）的兩側分別設置連接法蘭盤（8）。

6.根據權利要求1所述的基于Y形結構的太赫茲功率合成二倍頻電路，其特征在于：所述金屬上基座（1）和金屬下基座（2）通過定位銷（9）連接。

7.根據權利要求1所述的基于Y形結構的太赫茲功率合成二倍頻電路，其特征在于：所述金屬上基座（1）和金屬下基座（2）上分別設有直流饋電SMA連接器（10），所述直流饋電SMA連接器（10）和直流偏置電路（6）相連。