[發明專利]玻璃封接金屬接線座化學鍍鎳工藝無效
| 申請號: | 201210467664.X | 申請日: | 2012-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN102936721A | 公開(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發明(設計)人: | 蔣應洪 | 申請(專利權)人: | 成都泛華航空儀表電器有限公司 |
| 主分類號: | C23C18/34 | 分類號: | C23C18/34;C23C18/18;C25D3/28;C25D7/04;C23C28/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃 金屬 接線 化學 工藝 | ||
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技術領域
本發明涉及一種玻璃封接金屬接線座化學鍍鎳的工藝方法,本發明描述中涉及的玻璃封接金屬接線座化學鍍鎳工藝,并不限于此類金屬接線座的化學鍍鎳,還可以適用于其它具有自催化活性的金屬零件表面的化學鍍鎳。
背景技術
在現有技術中,由于受電力線被遮擋、阻斷形成分布不均以及深盲孔內的電鍍槽液局部變化快等因素的影響,深盲孔內的金屬內壁表面上要獲得理想的電鍍層是極其困難的,尤其是在深盲孔管徑較小又較深的情況下,采用傳統的電鍍技術在深盲孔內的金屬內壁表面上基本上無法獲得電鍍層。但對某些有特殊要求的零件時,要求深盲孔內的金屬內壁表面上必須有完整且足夠厚度的電鍍層,才能滿足產品特殊的性能要求。為達成此目的,對該類金屬接線座只能采用先進行化學鍍鎳,然后再進行電鍍鎘處理。因此,玻璃封接金屬接線座化學鍍鎳質量的好壞直接影響著整個玻璃封接金屬接線座電鍍鎘的加工質量。
根據目前現有技術的化學鍍鎳反應機理,按照“原子氫態理論”假說,在化學鍍鎳反應過程中將產生出原子態的氫。用最常用的次亞磷酸根H2PO2-作為鎳的還原劑時,其反應歷程是:H2PO2-的催化脫氫,使氫化物離子遷移到催化表面,是這種沉積過程的第一步反應,
H2PO2-+H2O表面催化→HPO32-+2H++H-
然后,?氫化物離子與鎳離子反應。這時的鎳離子,可能是一種吸附在催化區域上的水化粒子(NiOH+),反應的結果便形成了鍍鎳層,
????????????????2H-+Ni2+—→Ni0+H2↑
于是,總的反應便有:
2H2PO2-+2H2O+Ni2+—→Ni0+H2↑+4H++2HPO32-
同時,氫化物離子也可與氫離子反應,從而降低H2PO2-的利用率:
H-+H+—→H2↑
其采用的化學鍍鎳配方及工藝參數通常為:硫酸鎳含量為20~30g/L,次亞磷酸鈉含量為20~30g/L,檸檬酸鹽含量為10~15g/L,醋酸鈉含量為10~15g/L,工作溫度為85~95℃,PH值為5~6,時間為40~60min。該配方為酸性化學鍍鎳槽液,硫酸鎳是主鹽,為溶液提供金屬鎳離子;提高鎳離子濃度,可以提高鎳的沉積速度,但當鎳鹽濃度過高(如超過30g/L)時,會導致鍍液的穩定性下降,并易出現粗糙鍍層。次亞磷酸鈉是還原劑,提高次亞磷酸鈉濃度,可提高沉積速度,但次亞磷酸鈉濃度增加并不能無限地提高鎳的沉積速度;超過極限濃度,雖增加次亞磷酸鈉的濃度,其沉積速度不僅不會增加,反而使鍍液的穩定性下降,引起鍍液自然分解,降低鍍層質量。檸檬酸鹽是絡合劑,目的是防止亞磷酸鎳沉淀和提高鍍液中亞磷酸鎳的沉淀點,以增強穩定性,提高沉積速度和改善鍍層外觀。隨著化學鍍鎳的進行,亞磷酸根的增加很快就達到亞磷酸鎳的沉淀點而出現沉淀,使沉積速度降低,甚至無沉積;加入絡合劑后由于大部分鎳離子與絡合劑結合成絡離子,不易與亞磷酸根離子反應生成亞磷酸鎳沉淀,沉淀點得到提高,促使鍍液穩定。醋酸鈉是緩沖劑,能有效地控制溶液的PH值,防止槽液的PH值迅速降低(引起沉積速度降低)。鍍液PH值提高,使鍍層沉積速度大大加快,但過分提高會使鍍液中亞磷酸鎳的沉淀點大大降低而使鍍液容易混濁,易導致鍍液產生自分解,縮短鍍液的使用壽命;PH值降得過低,會使鍍層難以沉積到工件上。從上述各成分的主要作用和特性可見,常用的化學鍍鎳溶液是不太穩定的,而且使用壽命短,成本比較高。由此在玻璃封接金屬接線座表面沉積的這種化學鍍層有時是粗糙、疏松而結合力差的。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





