[發明專利]一種主動矩陣有機發光二極體驅動背板及其制備方法

無效

• 申請號: 201210467511.5
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN102945828A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 徐苗;羅東向;龐佳威;王瑯;周雷;李民;徐華;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 李慧

1.一種主動矩陣有機發光二極體驅動背板的制備方法，依次包括如下步驟：

在襯底上沉積并圖形化金屬導電層作為柵極金屬層；

在所述柵極金屬層上沉積一絕緣薄膜作為柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上沉積并圖形化金屬氧化物薄膜作為有源層；

在所述有源層上沉積另一絕緣薄膜作為刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層上圖形化并定義薄膜晶體管的源漏電極區域、存儲電容的有效面積和接觸孔；

在所述刻蝕阻擋層上沉積并圖形化導電薄膜層作為薄膜晶體管的源漏電極層；

其特征在于,所述存儲電容由柵極金屬層作為下電極板、柵極絕緣層作為介電層、有源層作為柵極絕緣層的保護層、通過刻蝕阻擋層定義電容的有效面積，并由導電薄膜層作為電容的上電極板。

2.根據權利要求1所述的主動矩陣有機發光二極體驅動背板的制備方法，其特征在于，包括退火工序，具體是將制備好的主動矩陣有機發光二極體驅動背板放于高溫環境中進行保溫，退火溫度為200℃至?500℃，退火氣氛為氮氣、氧氣或者空氣中的任意一種，退火時間為10分鐘至300分鐘。

3.根據權利要求1或2所述的主動矩陣有機發光二極體驅動背板的制備方法，其特征在于，

制備所述柵極金屬層所使用的金屬為：鋁、銅、鉬、鈦、銀、金、鉭或鉻單質中的至少一種或者為鋁合金；

所述金屬導電層為單層金屬薄膜或多層薄膜，所述單層金屬薄膜為鋁薄膜、銅薄膜、鉬薄膜、鈦薄膜、銀薄膜、金薄膜、鉭薄膜、鉻薄膜或鋁合金薄膜中的任意一種；所述多層薄膜由兩層以上的所述單層薄膜構成；

所述金屬導電層的厚度為100nm至2000nm；

所述金屬導電層作為電信號導線、薄膜晶體管柵極以及像素電路儲存電容下電極的載體層。

4.根據權利要求3所述的主動矩陣有機發光二極體驅動背板的制備方法，其特征在于，所述柵極金屬層上沉積的絕緣薄膜的厚度為50nm至500?nm；

所述絕緣薄膜為二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、五氧化二鉭或氧化鐿單層絕緣薄膜或由兩種以上所述單層絕緣薄膜構成的多層絕緣薄膜。

5.根據權利要求4所述的主動矩陣有機發光二極體驅動背板的制備方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的厚度為50?nm?至?2000?nm；所述刻蝕阻擋層為二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鐿、聚酰亞胺、酚醛樹脂、光刻膠、苯丙環丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯構成的單層薄膜，或是由以上絕緣材料構成的多層薄膜。

6.根據權利要求5所述的主動矩陣有機發光二極體驅動背板的制備方法，其特征在于，

沉積所述源漏電極層所使用的金屬為：

鋁、銅、鉬或鈦單質或鋁合金或氧化銦錫透明導電薄膜ITO；

所述導電薄膜層的厚度為100?nm至?2000?nm；

所述導電薄膜層為單層金屬薄膜或由單層金屬薄膜組成的多層金屬薄膜；所述單層金屬薄膜為鋁、銅、鉬或鈦單質薄膜或者鋁合金薄膜或氧化銦錫透明導電薄膜；

所述導電薄膜層作為電信號導線、薄膜晶體管的源漏電極以及電容上電極的載體層，并且可通過接觸孔與所述金屬導電層相連通。

7.根據權利要求6所述的主動矩陣有機發光二極體驅動背板的制備方法，其特征在于，

在刻蝕阻擋層上沉積并圖形化源漏電極層之后，還包括：沉積并圖形化平坦層、像素電極層以及像素定義層；

所述平坦層所采用的材料為聚酰亞胺、酚醛樹脂、光刻膠、苯丙環丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一種，所述平坦層的厚度為2000nm至7000nm；

所述像素電極層所采用的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、石墨烯、鉬或銀中的任意一種，所述像素電極層的厚度為10nm至?200nm；

所述像素定義層的材料為二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、聚酰亞胺、酚醛樹脂、光刻膠、苯丙環丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一種，所述像素定義層的厚度為200?nm至5000?nm。