[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210466673.7
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103824952A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發(fā)光器件（Organic?light-emitting?Devices，簡稱OLEDs）是一種使用有機發(fā)光材料的多層發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO），電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。OLED因其具有發(fā)光效率高、驅動電壓低、視角寬、發(fā)光顏色選擇范圍寬、制作工藝簡單，以及易實現(xiàn)全色和柔性顯示等特點，在照明和平板顯示領域引起了越來越多的關注。

在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部發(fā)光材料發(fā)出的光大約只有18%是可以發(fā)射到外部去的，大部分發(fā)出的光會以其他形式消耗在器件外部。研究發(fā)現(xiàn)，OLED光損耗大，有很大一部分原因在于空穴注入層的不完善。由于現(xiàn)有空穴注入層的材質通常為金屬氧化物，它在可見光范圍內(nèi)的吸光率較高，造成了光損失；另外，金屬氧化物為無機物，與空穴傳輸層的有機材料性質差別較大，兩者界面之間存在折射率差，容易引起全反射，導致OLED整體出光性能較低。因此非常有必要對空穴注入層的材質進行改性。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件以銳鈦礦晶型的二氧化鈦、酞菁類化合物與結晶性空穴傳輸材料作為空穴注入層的材質，充分利用三者的散射作用，提高OLED的發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。

第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極、空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴注入層的材質包括銳鈦型二氧化鈦、酞菁類化合物和結晶性空穴傳輸材料。

其中，所述銳鈦型二氧化鈦為經(jīng)過四氯化鈦（TiCl₄）的處理的二氧化鈦（TiO₂）。經(jīng)過TiCl₄處理的銳鈦型二氧化鈦，顆粒構型規(guī)整均一，比表面積較大，粒徑也較大，對光有明顯的散射作用，并可使二氧化鈦結合緊密，提高空穴注入層的導電性，間接提高了OLED的發(fā)光效率。

優(yōu)選地，所述酞菁類化合物為易結晶的酞菁類小分子，所述易結晶的酞菁類小分子為酞菁銅（CuPc）、酞菁鋅（ZnPc）、酞菁鎂（MgPc）和酞菁釩（V2Pc5）中的一種。

其中，所述結晶性空穴傳輸材料為玻璃化轉變溫度為70～100℃的空穴傳輸材料。優(yōu)選地，所述結晶性空穴傳輸材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC）、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺（TPD）和N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺（NPB）中的一種。

優(yōu)選地，所述空穴注入層中，銳鈦型二氧化鈦、酞菁類化合物和結晶性空穴傳輸材料的質量比為：0.12～4：0.3～5：1。

優(yōu)選地，所述空穴注入層的厚度為30～100nm。

優(yōu)選地，所述導電陽極為銦錫氧化物玻璃（ITO）、鋁鋅氧化物玻璃（AZO）或銦鋅氧化物玻璃（IZO）。更優(yōu)選地，所述導電陽極為ITO。

優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-2-萘蒽（ADN）、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯（BCzVBi）或8-羥基喹啉鋁（Alq₃）。更優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質為4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯（BCzVBi）。

優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為5～40nm。更優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為30nm。

優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉（Bphen）、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）。更優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）。

優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為40～80nm。更優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為45nm。