[發明專利]柵氧化層的形成方法在審
| 申請號： | 201210466642.1 | 申請日： | 2012-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN103824771A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 萬波;常延武;李強 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/316 | 分類號： | H01L21/316;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 形成 方法 | ||
1.一種柵氧化層的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底包括第一區域和第二區域，所述襯底上形成有第一氧化層；
去除位于所述第二區域上的第一氧化層，暴露出所述第二區域；
在所述第二區域上噴灑氧化劑以形成自然氧化層；
在所述第二區域上形成第二氧化層。
2.如權利要求1所述的柵氧化層的形成方法，其特征在于，所述氧化劑為稀硫酸、雙氧水或氧氣。
3.如權利要求1所述的柵氧化層的形成方法，其特征在于，所述自然氧化層的厚度為2~10埃。
4.如權利要求1所述的柵氧化層的形成方法，其特征在于，所述噴灑氧化劑的時間為10~120s。
5.如權利要求4所述的柵氧化層的形成方法，其特征在于，所述噴灑氧化劑的時間為30~90s。
6.如權利要求1所述的柵氧化層的形成方法，其特征在于，采用BOE溶液去除所述第二區域上的第一氧化層。
7.如權利要求6所述的柵氧化層的形成方法，其特征在于，去除位于所述第二區域上的第一氧化層，暴露出所述第二區域之后，在所述第二區域上形成自然氧化層之前，還包括如下工藝步驟：
采用去離子水清洗所述襯底。
8.如權利要求1所述的柵氧化層的形成方法，其特征在于，在形成自然氧化層后，形成第二氧化層前，還包括如下工藝步驟：
采用SPM溶液清洗所述襯底。
9.如權利要求1所述的柵氧化層的形成方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度大于所述第二氧化層的厚度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
