[發明專利]邊緣場切換模式液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201210465992.6
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103123429A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 申東秀;崔昇圭;李哲煥
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種用于液晶顯示裝置的陣列基板，所述陣列基板包括：

選通線，所述選通線在一個方向上形成在所述基板的表面上；

數據線，所述數據線與所述選通線交叉以限定像素區域；

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管形成在所述選通線與所述數據線的交叉處；

有機絕緣層，所述有機絕緣層形成在所述基板的包括所述薄膜晶體管的整個表面上，并且具有用于暴露所述薄膜晶體管的開口部分；

公共電極和輔助電極圖案，所述公共電極具有大的面積并且形成在所述有機絕緣層的上部，并且所述輔助電極圖案通過所述開口部分連接到所述薄膜晶體管；

鈍化層，所述鈍化層形成在所述基板的包括所述公共電極和所述輔助電極圖案的整個表面上，并且暴露連接到所述薄膜晶體管的所述輔助電極圖案；以及

多個像素電極，所述多個像素電極形成在所述鈍化層的上部，通過暴露的輔助電極圖案電連接到所述薄膜晶體管，并且與所述公共電極交疊。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述開口部分與所述薄膜晶體管的上部交疊，并且形成在所述有機絕緣層內。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極電連接到所述輔助電極圖案和漏電極。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，所述陣列基板進一步包括：

公共線，所述公共線與所述選通線平行地布置在所述基板上。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，所述陣列基板進一步包括：

公共連接圖案，所述公共連接圖案形成在所述鈍化層的上部以分別連接所述公共線和所述公共電極。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，所述陣列基板進一步包括：

濾色器層，所述濾色器層形成在其中所述選通線與所述數據線彼此交叉的像素區域處。

7.一種制造用于液晶顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括：

在基板的表面上在一個方向上形成選通線；

形成與所述選通線交叉以限定像素區域的數據線；

在所述選通線與所述數據線的交叉處形成薄膜晶體管；

在所述基板的包括所述薄膜晶體管的整個表面上形成有機絕緣層以具有用于暴露所述薄膜晶體管的開口部分；

在所述有機絕緣層的上部形成具有大的面積的公共電極，并且形成通過所述開口部分連接到所述薄膜晶體管的輔助電極圖案；

在所述基板的包括所述公共電極和所述輔助電極圖案的整個表面上形成鈍化層以暴露連接到所述薄膜晶體管的所述輔助電極圖案；以及

在所述鈍化層的上部形成多個像素電極，所述多個像素電極通過暴露的輔助電極圖案電連接到所述薄膜晶體管并且與所述公共電極交疊。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述開口部分與所述薄膜晶體管的上部交疊，并且形成在所述有機絕緣層內。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述像素電極電連接到所述輔助電極圖案和漏電極。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，在所述選通線的形成過程中，與所述選通線平行地布置公共線。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，在所述像素電極的形成過程中，在所述鈍化層的上部形成公共連接圖案，所述公共連接圖案用于分別連接所述公共線和所述公共電極。

12.根據權利要求7所述的方法，所述方法進一步包括：

在其中所述選通線與所述數據線彼此交叉的像素區域處形成濾色器層。