[發明專利]DMOS器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201210465871.1 | 申請日： | 2012-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN103824776A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 楊樂;萬穎 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | dmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種DMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
a、提供基底，所述基底包括有源區和位于所述有源區表面上的層間介質ILD層，位于有源區表面上的ILD層內具有鎢塞，所述ILD層表面和所述鎢塞表面平齊；
b、去除掉預設厚度的ILD層材料，以使ILD層和所述鎢塞表面具有高度差；
c、采用EKC溶液65-70℃清洗5-30min，異丙醇去除殘留的EKC溶液，沖水多次，甩干；
d、在具有高度差的ILD層和所述鎢塞表面形成金屬層，進入金屬互連過程，完成金屬互連過程后，在金屬層上形成壓焊點，進行低溫合金工藝，完成DMOS器件的制作過程。
2.根據權利要求1所述的DMOS器件的制造方法，其特征在于：步驟b中去除掉預設厚度的ILD層材料的過程具體為，采用各向異性刻蝕工藝去除掉預設厚度的ILD層材料。
3.根據權利要求1或2所述的DMOS器件的制造方法，其特征在于：所述預設厚度為
4.根據權利要求3所述的DMOS器件的制造方法，其特征在于：所述預設厚度為
5.根據權利要求2所述的DMOS器件的制造方法，其特征在于：所述各向異性刻蝕工藝所采用的刻蝕氣體為CF4、CHF3和氬氣。
6.根據權利要求5所述的DMOS器件的制造方法，其特征在于：所述各向異性刻蝕工藝所采用的刻蝕氣體中CF4的體積流量為16sccm-20sccm，CHF3的體積流量為60sccm-80sccm，氬氣的體積流量為80sccm-120sccm。
7.根據權利要求2所述的DMOS器件的制造方法，其特征在于：所述各向異性刻蝕工藝的刻蝕時間為60s。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
