[發明專利]一種LED芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201210465859.0
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN102931297A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 畢少強
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED芯片的制造方法，包括：

提供襯底，在襯底上形成管芯；

在管芯表面形成第一絕緣層，并平坦化所述第一絕緣層；

在第一絕緣層對應區域開出第一孔槽群；

在第一絕緣層上形成第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內的金屬組成第一電極群，第一絕緣層表面的金屬層組成第一電極層；

在第一電極層對應區域開出絕緣孔槽群；

在第一電極層上沉積第二絕緣層，并平坦化所述第二絕緣層；

在第二絕緣層對應區域開出第二孔槽群；

在第二絕緣層上形成第二金屬層，并平坦化所述第二金屬層，第二孔槽群內的金屬組成第二電極群，第二絕緣層表面的金屬層組成第二電極層；

在第二電極層上貼裝基板。

2.如權利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一電極群的電極分排均勻分布在管芯對應區域上，所述第二電極群分布在以第一電極群的電極為中心的正六邊形的頂點上。

3.如權利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層和電流擴散層，所述多量子阱層、P型半導體層和電流擴散層部分暴露出所述N型半導體層。

4.如權利要求2所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一電極群形成在電流擴散層上，所述第二電極群形成在N型半導體層上。

5.如權利要求2所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一電極群形成在N型半導體層上，所述第二電極群形成在電流擴散層上。

6.如權利要求1至5中任一項所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述襯底為藍寶石襯底。

7.如權利要求1所述的方法制造出的LED芯片，包括：襯底、形成于所述襯底上的管芯以及設置于管芯上并與管芯對應區域接觸的電極，其特征在于：所述電極包括第一電極群和第二電極群，所述第一電極群上生成有第一電極層，所述第二電極群上生成有第二電極層，所述第一電極層和第二電極層之間由第二絕緣層隔開，所述第一電極群和第二電極群之間由第一絕緣層和第二絕緣層共同隔開。在第二電極層上貼裝有基板。

8.如權利要求7所述的LED芯片，其特征在于：所述第一電極群的電極分排均勻分布在管芯對應區域上，所述第二電極群分布在以第一電極群的電極為中心的正六邊形的頂點上。

9.如權利要求8所述的LED芯片，其特征在于：所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層和電流擴散層，所述多量子阱層、P型半導體層和電流擴散層部分暴露出所述N型半導體層。

10.如權利要求9所述的LED芯片，其特征在于：所述第一電極群與所述電流擴散層接觸，所述第二電極群與所述N型半導體層接觸。

11.如權利要求9所述的LED芯片，其特征在于：所述第一電極群與所述N型半導體層接觸，所述第二電極群與所述電流擴散層接觸。