[發明專利]基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器

有效

• 申請號: 201210465532.3
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN102981131A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 雷沖;周勇;楊真;雷劍
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G01R33/04
• 分類號: G01R33/04
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器，其特征在于，包括：襯底(1)、主激勵線圈(2)、輔助激勵線圈(3)、檢測線圈(4)、磁芯(5)、電極(6)和聚酰亞胺薄膜(7)，其中，在磁芯(5)平行的兩條長軸兩端對稱繞制四組主激勵線圈(2)，在長軸中部對稱繞制三組檢測線圈(4)和兩組輔助激勵線圈(3)；位于同一長軸上的三組檢測線圈(4)之間同向串聯，位于不同長軸上的檢測線圈(4)之間反向串聯，在同一長軸上每兩組檢測線圈(4)中間分布一組所述輔助激勵線圈(3)，所述磁芯(5)、主激勵線圈(2)、輔激勵線圈(3)和檢測線圈(4)均由所述聚酰亞胺保護膜(7)包覆以絕緣隔離，所述主激勵線圈(2)、輔激勵線圈(3)和檢測線圈(4)均位于襯底(1)表面，所述主激勵線圈(2)和檢測線圈(4)的兩端分別連接電極(6)。

2.根據權利要求1所述的基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器，其特征在于，所述襯底(1)為石英玻璃。

3.根據權利要求1所述的基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器，其特征在于，所述磁芯(5)為矩形電鑄坡莫合金磁芯，磁芯長短軸寬度比為10∶1。

4.根據權利要求1所述的基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器，其特征在于，所述主激勵線圈(2)、輔激勵線圈(3)和檢測線圈(4)均為三維螺線管線圈，所述三維螺線管線圈由底層線圈(8)、項層線圈(9)通過連接導體(10)連接形成，同時所述主激勵線圈(2)、輔激勵線圈(3)和檢測線圈(4)中每匝導體的線寬為50μm，各匝導體之間的間隙均為50μm。

5.根據權利要求1-5之一所述的基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器，其特征在于，所述的磁芯(5)、主激勵線圈(2)、輔激勵線圈(3)和檢測線圈(4)均由聚酰亞胺薄膜(7)絕緣、支撐并完全包覆固定為一個整體，與空氣隔離。

6.根據權利要求1所述的基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器，其特征在于，所述電極(6)位于襯底(1)表面，其厚度大于底層線圈(8)、頂層線圈(9)和連接導體(10)厚度之和，并通過刻蝕所述聚酰亞胺薄膜(7)使電極(6)單獨暴露以連接接口電路。

7.根據權利要求1-7之一所述的基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器，其特征在于，所述電極(6)、底層線圈(8)、頂層線圈(9)和連接導體(10)材料為電鑄銅。

8.根據權利要求1所述的基于主輔線圈雙重激勵的低噪聲微型平面磁通門傳感器，其特征在于，所述主激勵線圈(2)、輔激勵線圈(3)和檢測線圈(4)每組分別為10匝、3匝和10匝。