[發明專利]LED外延片反應腔

無效

• 申請號: 201210465057.X
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103824801A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 陳勇;梁秉文;喬徽
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/205
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 楊林;李友佳

1.一種LED外延片反應腔，其特征在于，該LED外延片反應腔包括至少兩個生長區域，該些生長區域相互分隔，每一生長區域均設置有氣體供給部件，該些生長區域中至少有兩個生長區域分別用于生長LED外延片的結構中的不同半導體材料層。

2.如權利要求1所述的LED外延片反應腔，其特征在于，該些生長區域的形狀為扇形并且環形排列。

3.如權利要求1所述的LED外延片反應腔，其特征在于，該LED外延片包括依次層疊設置的n型摻雜層、發光層、p型摻雜層，該些生長區域中的兩個生長區域為第一生長區域和第二生長區域，該第一生長區域用于至少生長該n型摻雜層，該第二生長區域用于至少生長該發光層。

4.如權利要求1所述的LED外延片反應腔，其特征在于，該LED外延片反應腔包括四個生長區域，該四個生長區域分別為預生長區域、n型摻雜層生長區域、發光層生長區域和p型摻雜層生長區域，

該預生長區域用于對基片進行熱處理和生長緩沖層；

該n型摻雜層生長區域用于生長n型摻雜層；

該發光層生長區域用于生長發光層；

該p型摻雜層生長區域用于生長p型摻雜層。

5.如權利要求3所述的LED外延片反應腔，其特征在于，該LED外延片反應腔還包括一輔助區域，該輔助區域用于對LED外延片進行退火處理和/或對LED外延片進行檢測。

6.如權利要求4所述的LED外延片反應腔，其特征在于，該發光層包括多層量子阱。

7.如權利要求1-6中任意一項所述的LED外延片反應腔，其特征在于，該LED外延片反應腔還包括多個用于分隔相鄰兩個區域的氣簾或分隔板，該些分隔板能夠伸入到LED外延片反應腔中以隔離該些區域和從該LED外延片反應腔中回縮以使得該些區域相互連通。

8.如權利要求5所述的LED外延片反應腔，其特征在于，對LED外延片進行檢測包括測試該發光層的電致發光譜或光致發光譜。

9.如權利要求1-6中任意一項所述的LED外延片反應腔，其特征在于，該些生長區域均具有用于加熱基片且獨立工作的加熱器。

10.如權利要求1-6中任意一項所述的LED外延片反應腔，其特征在于，該LED外延片反應腔具有一用于為該些區域抽真空的抽氣系統。