[發明專利]將接合的晶圓分離的系統及方法有效
| 申請號: | 201210465015.6 | 申請日: | 2012-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN103579042A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 黃信華;劉丙寅;林宏樺;謝元智;趙蘭璘;蔡嘉雄 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 分離 系統 方法 | ||
1.一種用于將接合晶圓分離的系統,包括:
所述接合晶圓的支撐件;
向所述接合晶圓施加剪切力的裝置;以及
向所述接合晶圓施加真空的裝置。
2.根據權利要求1所述的系統,其中,所述施加真空的裝置用于從所述接合晶圓的下晶圓上提起所述接合晶圓的上晶圓,所述接合晶圓設置在所述接合晶圓的支撐件上。
3.根據權利要求1所述的系統,其中,所述用于施加真空的裝置包括:施加第一真空的第一裝置,并且所述系統進一步包括施加第二真空的第二裝置。
4.根據權利要求3所述的系統,其中,所述接合晶圓均包括第一晶圓和與所述第一晶圓相接合的第二晶圓,其中,施加第一真空的所述第一裝置用于向所述第一晶圓施加所述第一真空,并且施加第二真空的所述第二裝置用于向所述第二晶圓施加所述第二真空。
5.根據權利要求4所述的系統,進一步包括:施加第三真空的第三裝置。
6.根據權利要求5所述的系統,進一步包括:腔室,所述腔室圍繞著所述接合晶圓的支撐件、施加第一真空的所述第一裝置、施加第二真空的所述第二裝置以及所述施加剪切力的裝置,并且施加第三真空的所述第三裝置與所述腔室相連接。
7.一種用于將接合半導體晶圓分離的系統,所述系統包括:
腔室;
第一部分,設置在所述腔室中,所述第一部分包括第一真空管道并且用于支撐所述接合半導體晶圓;
第二部分,設置在所述腔室中,鄰近所述第一部分,所述第二部分包括第二真空管道;
滾珠螺桿,與所述第一部分或所述第二部分相連接;
伺服電機,與所述滾珠螺桿相連接;以及
第三真空管道,與所述腔室相連接。
8.根據權利要求7所述的系統,其中,所述第二真空管道與真空盤相連接。
9.根據權利要求7所述的系統,其中,所述第一部分是固定的并且所述第二部分是可移動的,或者所述第一部分是可移動的并且所述第二部分是固定的。
10.一種將接合晶圓分離的方法,所述方法包括:
在支撐件上放置所述接合晶圓,所述接合晶圓包括上晶圓和與所述上晶圓相連接的下晶圓;以及
向所述上晶圓施加扭轉力來分離所述接合晶圓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





