[發(fā)明專利]像素單元、薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210464940.7
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN102998855A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 申瑩;涂志中;孫榮閣
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素單元、薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示器。

背景技術(shù)

目前，高級超維場轉(zhuǎn)換（Advanced?super?Dimension?Switch，以下簡稱ADS）模式液晶顯示器因具備廣視角、高穿透率、低色差等優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用。ADS模式液晶顯示器是同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層之間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)的狹縫電極間以及狹縫電極正上方所有取向液晶分子都產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高液晶工作效率并增大透光效率。

其中，ADS模式液晶顯示器中的薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，以下簡稱TFT）陣列基板一般包括：襯底基板，以及在襯底基板上呈陣列狀分布的像素單元；其中，如圖1所示，每一個像素單元包括：分別與襯底基板上柵線10和數(shù)據(jù)線20電連接到的TFT，通過過孔60與TFT的源極50電連接的像素電極30；具體地，像素電極30為具有一定傾斜角度的狹縫電極。TFT陣列基板還包括與像素電極形成電場的公共電極，像素電極30與公共電極之間形成的電場強度的變化控制著液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度。

ADS模式液晶顯示器在工作時，液晶分子在電壓驅(qū)動下旋轉(zhuǎn)；不過，每一個像素單元內(nèi)的液晶分子只有一種偏轉(zhuǎn)角度，在不同的觀察視角下，由于液晶的各向異性，ADS模式液晶顯示器的亮度存在差異，即液晶顯示器在顯示畫面時存在色差，影響液晶顯示器的顯示畫面品質(zhì)。因此，如何減輕ADS模式液晶顯示器在顯示畫面時的色差，改善ADS模式液晶顯示器的顯示畫面品質(zhì)成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種像素單元、TFT陣列基板及液晶顯示器，用于減輕液晶顯示器在顯示畫面時的色差，改善液晶顯示器的顯示畫面品質(zhì)。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)方案，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種像素單元，包括：具有同層設(shè)置且相互絕緣的主動區(qū)像素電極和被動區(qū)像素電極，與所述主動區(qū)像素電極電連接的TFT開關(guān)，以及與所述主動區(qū)像素電極異層設(shè)置且電連接的耦合電極，且所述耦合電極與所述被動區(qū)像素電極具有形成耦合電容的交疊區(qū)域。

優(yōu)選地，在上述像素單元中，所述主動區(qū)像素電極和所述被動區(qū)像素電極分別為一組對稱分布的狹縫電極。

優(yōu)選地，在上述像素單元中，所述狹縫電極的延伸方向與液晶初始取向方向的夾角為5°~20°。

優(yōu)選地，在上述像素單元中，所述狹縫電極的長度方向與液晶初始取向方向的夾角為70°~85°。

較佳地，在上述像素單元中，所述主動區(qū)像素電極的電極圖形和所述被動區(qū)像素電極的電極圖形的面積比為1:1~1:9。

本發(fā)明同時還提供了一種TFT陣列基板，包括：

襯底基板；

以及在所述襯底基板上呈陣列狀分布，具有上述技術(shù)特征的像素單元。

優(yōu)選地，在上述TFT陣列基板中，所述像素單元中的耦合電極與所述襯底基板上的柵線或數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。

本發(fā)明同時還提供了一種液晶顯示器，包括具有上述技術(shù)特征的TFT陣列基板。

在本發(fā)明提供的像素單元中，包括：具有同層設(shè)置且相互絕緣的主動區(qū)像素電極和被動區(qū)像素電極，與所述主動區(qū)像素電極電連接的TFT開關(guān)，以及與主動區(qū)像素電極異層設(shè)置且電連接的耦合電極，且耦合電極與被動區(qū)像素電極具有形成耦合電容的交疊區(qū)域。也就是說，像素單元中的像素電極包括同層設(shè)置的主動區(qū)像素電極和被動區(qū)像素電極，以及與像素電極異層設(shè)置的耦合電極；其中，主動區(qū)像素電極和被動區(qū)像素電極電學(xué)斷開；與耦合電極電連接，耦合電極與被動區(qū)像素電極具有交疊的區(qū)域。

采用具有上述像素單元的TFT陣列基板的液晶顯示器在工作時，當(dāng)像素單元所在位置的柵線打開時，數(shù)據(jù)電壓通過數(shù)據(jù)線與TFT充入主動區(qū)像素電極，主動區(qū)像素電極所對應(yīng)的液晶分子受到電壓驅(qū)動而偏轉(zhuǎn)；被動區(qū)像素電極所對應(yīng)的液晶分子的驅(qū)動電壓由耦合電極與被動區(qū)像素電極產(chǎn)生的耦合電容提供，因被動區(qū)像素電極的電壓由耦合電容提供，相對于施加在主動區(qū)像素電極上的電壓具有一定的時間延遲，因此，每個像素單元所述對應(yīng)的液晶分子具有兩種偏轉(zhuǎn)角度，在不同視角觀察下，由于液晶取向的平均化效果，使液晶顯示器的亮度差異減小，因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減輕液晶顯示器在顯示畫面時的色差，改善液晶顯示器的顯示畫面品質(zhì)。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；