[發明專利]一種硼鎵共摻的重摻P型單晶硅的生長及摻雜方法有效
| 申請號： | 201210463980.X | 申請日： | 2012-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN102978698A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 孫新利 | 申請（專利權）人： | 孫新利 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 杭州華鼎知識產權代理事務所(普通合伙) 33217 | 代理人： | 竺詩忍 |
| 地址： | 313199 浙江省湖州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硼鎵共摻 單晶硅 生長 摻雜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硼鎵共摻的重摻P型單晶硅的生長及摻雜方法，其特征在于包括如下步驟：
（1）清潔熱場、單晶爐、石英坩堝部件；
（2）打開單晶爐，將準備好的多晶硅及摻雜硼粉放入石英坩堝中；
（3）封閉單晶爐，用氬氣多次沖洗單晶爐并抽真空；
（4）打開氬氣流量，開啟加熱器進行加溫，熔化多晶硅；
（5）待多晶硅完全熔化，下調加熱器功率，保持熔體熔化狀態1455攝氏度；
（6）利用主室和副室隔離閥，結合鎵元素的摻雜裝置向熔體內進行鎵元素摻雜；
（7）充分混合后，穩定熔體溫度在1450攝氏度，并開始引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾、冷卻；
（8）將單晶硅進行頭尾割斷、晶棒分割、滾圓、多線切割、倒角、研磨、清洗，并進行器件制作。
2.根據權利要求1所述的P型單晶硅的生長及摻雜方法，其特征在于：步驟（4）中單晶爐采用高純氬氣作為保護氣體，高純氬氣流量為30~80slpm。
3.根據權利要求1所述的P型單晶硅的生長及摻雜方法，其特征在于：單晶硅生長晶體轉速為12~25rpm。
4.根據權利要求1所述的P型單晶硅的生長及摻雜方法，其特征在于：石英坩堝轉速為5~10rpm。
5.根據權利要求1所述的P型單晶硅的生長及摻雜方法，其特征在于：單晶硅平均生長速度為50~75mm/h。
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