[發明專利]一種方形藍寶石晶體的生長方法及設備無效
| 申請號: | 201210461724.7 | 申請日: | 2012-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN103806101A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 鮑威爾·斯米爾諾夫;李東振;宗志遠;孫大偉;周健杰;劉一凡;吳勇 | 申請(專利權)人: | 上海中電振華晶體技術有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/20 | 分類號: | C30B29/20;C30B35/00;C30B17/00 |
| 代理公司: | 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 方形 藍寶石 晶體 生長 方法 設備 | ||
1.一種方形藍寶石晶體的生長方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
步驟S1:將設定重量的高純氧化鋁塊料或粉料裝入方形坩堝中,然后將方形坩堝置于晶體生長爐內;
步驟S2:將晶體生長爐抽真空,使晶體生長爐內的真空度低于6×10-3Pa;
步驟S3:通過加熱器控制晶體生長爐升溫至2000-2100℃,待氧化鋁原料熔化為熔體;
步驟S4:選用定向籽晶,將定向籽晶固定在坩堝的中心位置,保證定向籽晶c面平行于坩堝長邊對應的平面,確定溫度合適后開始引晶;
步驟S5:引晶結束后,以0.1~3mm/h的速度向上提拉籽晶,開始晶體生長;
步驟S6:長晶結束后,以10~50℃/h的速度緩慢降溫;
步驟S7:爐內溫度降至室溫后,取出方形晶體,切割并加工成所需尺寸的晶片。
2.根據權利要求1所述的方形藍寶石晶體的生長方法,其特征在于:
所述步驟S4中選用的定向籽晶為m向或a向。
3.根據權利要求1所述的方形藍寶石晶體的生長方法,其特征在于:
所述方形坩堝為正方形坩堝,步驟S4中,保證定向籽晶c面平行于坩堝任意一邊對應的平面。
4.根據權利要求1所述的方形藍寶石晶體的生長方法,其特征在于:
所述方法進一步包括,根據需要調節坩堝、加熱器的形狀,用以調節晶體橫截面的形狀。
5.一種方形藍寶石晶體的生長方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
步驟S1:將設定重量的高純氧化鋁塊料或粉料裝入方形坩堝中,然后將方形坩堝置于晶體生長爐內;
步驟S2:將晶體生長爐抽真空至設定真空度;
步驟S3:通過加熱器控制晶體生長爐升溫,使氧化鋁原料熔化為熔體;
步驟S4:選用定向籽晶,將定向籽晶固定在坩堝的中心位置,溫度合適后引晶;
步驟S5:引晶結束后,向上提拉籽晶,開始晶體生長;
步驟S6:長晶結束后,緩慢降溫;
步驟S7:爐內溫度降至設定溫度后,取出晶體,切割并加工成所需尺寸的晶片。
6.一種方形藍寶石晶體的生長設備,其特征在于:所述設備包括有晶體生長爐、抽真空裝置、熱場;
所述熱場包括加熱器、坩堝、坩堝蓋、熱屏;
所述加熱器置于晶體生長爐內,坩堝置于加熱器的中心位置,坩堝蓋置于坩堝頂部。
7.根據權利要求5所述的方形藍寶石晶體的生長設備,其特征在于:
所述坩堝為方形坩堝,坩堝的橫截面呈矩形;
或者,所述坩堝的橫截面為具有圓角的矩形,四個圓角的半徑在1~20mm。
8.根據權利要求5所述的方形藍寶石晶體的生長設備,其特征在于:
所述熱屏主要包括上熱屏和外熱屏;上熱屏置于坩堝上部,其橫截面形狀與坩堝相同;外熱屏置于加熱器外部,其形狀為圓形或方形;
所述加熱器、坩堝蓋的形狀為圓形或方形。
9.根據權利要求5所述的方形藍寶石晶體的生長設備,其特征在于:
所述加熱器材料為鎢;所述坩堝蓋及熱屏材料為鉬或鎢或銥或鉭,或者為鉬、鎢、銥、鉭中兩種或多種元素組成的合金。
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