[發明專利]一種高密度相變存儲器電路結構及其制備方法

無效

• 申請號: 201210461713.9
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN102931206A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 蔡道林;陳后鵬;王倩;王兆敏;宋志棠
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;G11C13/00;H01L45/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種高密度相變存儲器電路結構，其特征在于：所述相變存儲器結構包括選通管及n個相變電阻，所述選通管的源端接地，柵端接字線WL；所述n個相變電阻并列排布，各該相變電阻的一端共同連接在所述選通管的漏端，各該相變電阻的另一端分別連接各自的位線，其中n為整數，n≧2。

2.根據權利要求1所述的一種高密度相變存儲器結構，其特征在于：n的取值為4～6。

3.根據權利要求1所述的一種高密度相變存儲器結構，其特征在于：所述選通管是MOS管、二極管或三極管。

4.一種高密度相變存儲器器件結構制備方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：

1）提供一半導體襯底，在所述半導體襯底上形成外延層；

2）在所述外延層上按照常規工藝形成STI結構、有源區以及柵區域和在該柵區域周圍的隔離結構；

3）形成設有接觸孔的絕緣層；

4）填充鎢塞到所述接觸孔；

5）沉積相變薄膜材料；

6）刻蝕所述相變薄膜材料形成n個相變電阻，其中n為整數，n≧2；

7）制備金屬層并刻蝕成位線；

8）制備其余金屬層互聯。

5.根據權利要求4所述的高密度相變存儲器器件結構制備方法，其特征在于：所述步驟6）中n的取值為4～6。

6.一種高密度相變存儲器器件結構，其特征在于：該相變存儲器器件結構包括n個相變電阻以及半導體襯底；

位于該半導體襯底上的外延層；

位于該外延層上的有源區以及用于隔離所述有源區的STI結構；

位于所述有源區上的柵區域和在該柵區域周圍的隔離結構；

位于有源區、柵區域以及STI結構上的絕緣層；

設置于絕緣層內的接觸孔；

位于絕緣層上的若干金屬層；

所述接觸孔內填充有金屬用于連接所述金屬層和有源區；

所述相變電阻位于第一金屬層和有源區之間，通過底電極與選通管的源區相連。

7.一種高密度相變存儲器器件結構，其特征在于：該相變存儲器器件結構包括n個相變電阻以及半導體襯底；

位于該半導體襯底上的外延層；

位于該外延層上的有源區以及用于隔離所述有源區的STI結構；

位于所述有源區上的柵區域和在該柵區域周圍的隔離結構；

位于有源區、柵區域以及STI結構上的絕緣層；

設置于絕緣層內的接觸孔；

位于絕緣層上的若干金屬層；

所述接觸孔內填充有金屬用于連接所述金屬層和有源區；

所述相變電阻位于任意的兩層相鄰的金屬層之間，通過低一層的金屬層與選通管的源區相連。