[發明專利]獲得缺陷態的兩種二維聲子晶體結構

無效

• 申請號: 201210461169.8
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN102938251A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 吳福根;何云;張欣;姚源衛;閆舒雅
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: G10K11/168
• 分類號: G10K11/168
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 林麗明

1.一種獲得缺陷態的兩種二維聲子晶體結構，其特征在于：

第一種獲得缺陷態的二維聲子晶體結構：所述的二維聲子晶體結構由若干個二維晶格單元周期排列組成，所述的二維晶格單元由相互平行的第一水柱體（2）及第一缺陷水柱體（3）在水銀中按二維晶格排列；所述第一水柱體（2）和第一缺陷水柱體（3）的半徑相等，其半徑是0.12a～0.26a；改變第一缺陷水柱體（3）的位置，使其位于偏離上述二維晶格單元排列中心的距離為0.001a～（0.50a-r_d），其中a為晶格常數，r_d為第一缺陷水柱體半徑；

第二種獲得缺陷態的二維聲子晶體結構：所述的二維聲子晶體結構由若干個二維晶格單元周期排列組成，所述的二維晶格單元由相互平行的第二水柱體（5）在水銀中按二維晶格排列，?在中心元胞內插入一個第二缺陷水柱體（6）；所述第二水柱體（5）和第二缺陷水柱體（6）的半徑相等，其半徑是0.10a～0.25a，所述第二缺陷水柱體（6）位于偏離上述二維晶格單元排列中心的距離為（0.50a-r₀-r_d）～0.50a，其中a為晶格常數，r₀，r_d分別為第二水柱體（5）半徑，第二缺陷水柱體（6）半徑；

所述的二維晶格單元的水柱體至少五層，所述二維晶格的晶格常數a為1～10cm。

2.如權利要求1所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：所述的二維聲子晶體結構由一種或幾種密度不同的多層單元疊加組成。

3.如權利要求1所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：所述二維晶格單元排列結構為平行四邊形、矩形、正方形或六角形。

4.如權利要求3所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：所述二維晶格單元排列結構為正方形。

5.如權利要求1所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：上述第一水柱體（2）和第一缺陷水柱體（3）及第二水柱體（5）半徑和第二缺陷水柱體（6）的橫截面形狀為圓形、橢圓形、正方形、矩形、三邊形或六邊形。

6.如權利要求5所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：上述第一水柱體（2）和第一缺陷水柱體（3）及第二水柱體（5）半徑和第二缺陷水柱體（6）的橫截面形狀為圓形。

7.如權利要求1所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：所述結構一中柱體的體積份數比為12.56%，?結構二中柱體的體積份數比為3.14%。

8.如權利要求2所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：上述二維聲子晶體結構是由水和水銀這兩種密度不同的單元疊加而成的：其中，水柱體的密度為???????????????????????????????????????????????，縱波波速，水銀的密度為，縱波波速。

9.如權利要求1所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：所述第一缺陷水柱體（3）及第二缺陷水柱體（6）沿各個不同方向偏離二維晶格單元排列中心。

10.如權利要求1所述的二維聲子晶體結構，其特征在于：上述第一水柱體（2）和第一缺陷水柱體（3）及第二水柱體（5）半徑和第二缺陷水柱體（6）由聚苯乙烯PS材料包裹制成水柱體；其中聚苯乙烯的密度為1.05×10³kg/m³，體積模量：2.19×10⁹Pa，薄層的厚度。