[發(fā)明專利]具有疏水層絕緣子的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210461158.X
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103021597A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭憲軍;張小剛;常久龍;朱黎偉;梁濤;趙素屏
• 申請（專利權(quán)）人: 國家電網(wǎng)公司;河南省電力公司安陽供電公司
• 主分類號: H01B19/04
• 分類號: H01B19/04;H01B17/50;C09D183/04;C09D183/06;C09D183/08;C09D7/12;C09D5/00
• 代理公司: 安陽市智浩專利代理事務(wù)所 41116
• 代理人: 王暉

1.具有疏水層絕緣子的制造方法，包括絕緣子基體，其特征在于：采用以下步驟在絕緣子基體上制備疏水層：

（a）將絕緣子基體置于純水中清洗干凈，放到烘箱中烘干，將EPTMS置于無水乙醇與純水的混合液中溶解完全后將絕緣子基體放入，保持體系溫度為?60℃?1.5h，完成絕緣子基體表面的處理，所述的EPTMS克數(shù)與無水乙醇毫升數(shù)比值為1g:400ml，所述的純水用量為無水乙醇體積的1/20；

（b）將TEOS與無水乙醇制成混合溶液加入設(shè)置有攪拌裝置的反應(yīng)器中，滴加氨水與水的混合液，滴加完畢后繼續(xù)攪拌2小時，將混合液置于真空烘箱中設(shè)定溫度在120℃以130℃以下干燥20小時，得固體納米二氧化硅，研磨后用300-400目篩過濾，得納米二氧化硅粒，所述的TEOS與無水乙醇的體積比為1:12-15，所述氨水與水的混合液體積用量為無水乙醇體積的1/25?，所述的氨水與水的混合液中氨水與水體積比為4-5:1，所述的氨水與水的混合液的滴加速度為18-22ml/min；

?（c）將DBTD?和PDMS?加入反應(yīng)其中，并加入正庚烷，攪拌?10?分鐘，加入納米二氧化硅粒，并攪拌?50?分鐘，室溫下靜置40h，得低表面能納米二氧化硅粒，所述的DBTD?、PDMS、與納米二氧化硅的重量比為DBTD?：PDMS：納米二氧化硅=1:12:12，所述的納米二氧化硅的克數(shù)與正庚烷毫升數(shù)的體積比為1g:11-15ml；

（d）將步驟（c）中所得低表面能納米二氧化硅粒溶于無水乙醇中，攪拌分散均勻后加入反應(yīng)容器中加熱在65℃下攪拌加入APTES?、純水和醋酸的混合液，在65℃連續(xù)攪拌2.5小時，獲低能納米二氧化硅分散液，所述的納米二氧化硅克數(shù)與無水乙醇的毫升數(shù)比值為1:30-32，所述的納米二氧化硅與APTES的克數(shù)比值為9-10:1，所述的純水和醋酸的混合液加入毫升數(shù)為無水乙醇毫升數(shù)的1?/25,所述的純水和醋酸的混合液的PH值為4-5；

（e）?將步驟（a）中處理后的絕緣子基體置于低能納米二氧化硅分散液中使表面敷上分散液，取出后置于烘箱中在110℃烘干30分鐘，取出后得表面具有疏水層的絕緣子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有疏水層絕緣子的制造方法，其特征在于：所述的步驟（a）中絕緣子基體采用丙酮在超聲波清洗機(jī)中清洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有疏水層絕緣子的制造方法，其特征在于：所述的步驟（a）中純水中加有乙酸，純水與乙酸的混合液PH指為4-5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有疏水層絕緣子的制造方法，其特征在于：所述的步驟（c）中采用超聲波震動攪拌。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有疏水層絕緣子的制造方法，其特征在于：所述的步驟（a）絕緣子基體為玻璃絕緣子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有疏水層絕緣子的制造方法，其特征在于：所述的步驟（a）絕緣子基體為陶瓷絕緣子。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有疏水層絕緣子的制造方法，其特征在于：所述的步驟（a）絕緣子基體為復(fù)合絕緣子。