[發(fā)明專利]測(cè)試對(duì)準(zhǔn)使用芯片的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210460903.9
• 申請(qǐng)日: 2012-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN103811298B
• 公開（公告）日: 2016-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪雪輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/66;G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種測(cè)試對(duì)準(zhǔn)使用芯片的制作方法，其特征在于，包括：

步驟1、在工藝初期圖形定義時(shí)，硅片內(nèi)的所有區(qū)域部進(jìn)行曝光；

步驟2、當(dāng)該硅片因?yàn)樾酒叽邕^小時(shí)，需要進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)芯片制作時(shí)，針對(duì)此類硅片，在硅片內(nèi)部完整shot的位置上，選擇一個(gè)小的區(qū)域M進(jìn)行二次曝光，使區(qū)域M內(nèi)的全部或部分芯片失效，形成一個(gè)失效的芯片陣列，作為測(cè)試對(duì)準(zhǔn)使用；

步驟3、根據(jù)區(qū)域M中的失效芯片周邊芯片中是否含有有效芯片，來判定測(cè)試結(jié)果是否與硅片上實(shí)際芯片結(jié)果發(fā)生左、右、上、下的偏移。

2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試對(duì)準(zhǔn)使用芯片的制作方法，其特征在于，步驟2中所述使區(qū)域M內(nèi)的全部芯片失效，具體為直接通過強(qiáng)制偏移的方式將區(qū)域M內(nèi)光刻圖形做偏移，使得該曝光范圍內(nèi)圖形重疊，影響其電學(xué)性能參數(shù)，從而最終導(dǎo)致區(qū)域M內(nèi)芯片失效。

3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試對(duì)準(zhǔn)使用芯片的制作方法，其特征在于，步驟2中所述使區(qū)域M內(nèi)的部分芯片失效，具體為通過在掩膜版上以單芯片尺寸為標(biāo)準(zhǔn)，制作特定的屬性為透光的曝光范圍，在曝光過程中將此透光圖形在區(qū)域M內(nèi)的芯片上曝光，使得整個(gè)透光的曝光范圍內(nèi)沒有圖形，從而使透光區(qū)域芯片失效。

4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試對(duì)準(zhǔn)使用芯片的制作方法，其特征在于，所述步驟3的判斷具體為：當(dāng)所述區(qū)域M中的失效芯片周邊芯片在其中一個(gè)方向上有效芯片數(shù)目大于0時(shí)，則在所述方向上不存在偏移，否者發(fā)生偏移。