[發明專利]用于低接觸電阻碳納米管互連件的裝置和方法

有效

• 申請號: 201210460900.5
• 申請日: 2012-11-15
• 公開（公告）號: CN103515354A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 吳憲昌;李香寰;眭曉林
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種裝置，包括：

第一金屬線，形成在襯底上方；

第一碳層，形成在所述第一金屬線上方；

碳納米管互連件，形成在所述第一碳層上方；

第二碳層，形成在所述碳納米管互連件上方；以及

第二金屬線，形成在所述第二碳層上方。

2.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

第一垂直碳層，形成在所述碳納米管互連件的第一側壁和在所述襯底上形成的第一介電層之間；以及

第二垂直碳層，形成在所述碳納米管互連件的第二側壁和所述第一介電層之間。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中：

所述第一垂直碳層的厚度為1納米至10納米；以及

所述第二垂直碳層的厚度為1納米至10納米。

4.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

圍繞所述第一金屬線的第一碳環；以及

圍繞所述第二金屬線的第二碳環。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中：

所述第一碳環的厚度為2納米至5納米；以及

所述第二碳環的厚度為2納米至5納米。

6.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

形成在所述襯底上方的第一介電層，其中，所述第一金屬線嵌在所述第一介電層中；以及

形成在所述第一介電層上方的第二介電層，其中，所述第二金屬線嵌在所述第二介電層中。

7.一種器件，包括：

第一介電層，形成在襯底上方；

第一金屬線，嵌在所述第一介電層中；

第二介電層，形成在所述第一介電層上方；

第二金屬線，嵌在所述第二介電層中；

互連結構，形成在所述第一金屬線和所述第二金屬線之間；

第一碳層，形成在所述第一金屬線和所述互連結構之間；以及

第二碳層，形成在所述第二金屬線和所述互連結構之間。

8.根據權利要求7所述的器件，其中，所述互連結構包括多個碳納米管。

9.根據權利要求7所述的器件，其中：

所述互連結構被厚度為約1納米至約10納米的第一碳層圍繞；

所述第一金屬線被厚度為約2納米至約5納米的第二碳層圍繞；或者

所述第二金屬線被厚度為約2納米至約5納米的第三碳層圍繞。

10.一種方法，包括：

在襯底上方形成第一金屬線；

在所述第一金屬線上方沉積第一碳層；

在所述第一碳層上沉積多個催化墊；

在所述催化墊上生長多個碳納米管；

沉積介電材料以填充所述碳納米管之間的空閑空間從而形成互連層；

在所述互連層上方沉積第二碳層；以及

在所述第二碳層上方形成第二金屬線。