[發明專利]坩堝與坩堝硅材的裝填方法有效
| 申請號： | 201210460387.X | 申請日： | 2012-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN103806096A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 楊鎮豪;何鎧安;周建綱 | 申請（專利權）人： | 茂迪股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新北市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坩堝 裝填 方法 | ||
1.一種坩堝，包括：
底板，具有一表面；以及
涂層，設置在該底板的該表面上，其中該涂層包括相對的第一面與第二面，該第二面與該底板的該表面接觸；及
多個第一孔，設置于該涂層上，且該多個第一孔沿該涂層的該第一面朝該第二面的方向延伸凹設。
2.如權利要求1所述的坩堝，其中該多個第一孔的孔密度為2個/cm2～100個/cm2。
3.如權利要求1所述的坩堝，其中該多個第一孔貫穿該涂層的該第二面或并未貫穿該涂層的該第二面。
4.如權利要求3所述的坩堝，其中該底板具有多個第二孔凹設于該表面中，該多個第二孔分別對應該多個第一孔。
5.一種坩堝，包括：
底板，具有一表面，其中該底板的該表面凹設有多個孔，且該多個孔的孔密度為2個/cm2～100個/cm2。
6.一種坩堝硅材的裝填方法，包括：
提供坩堝，其中該坩堝包括底板以及形成于該底板的一表面上的涂層；
鋪設第一硅料層于該涂層上；以及
鋪設第二硅料層于該第一硅料層上，
其中，通過該第二硅料層的重量施壓于該第一硅料層上，以使該第一硅料層在該涂層中形成多個第一孔，其中所形成的該多個第一孔的孔密度為2個/cm2～100個/cm2。
7.如權利要求6所述的坩堝硅材的裝填方法，其中該第二硅料層的重量施壓于該第一硅料層上時，該第一硅料層在該表面中形成多個第二孔，該多個第二孔分別對應該多個第一孔。
8.一種坩堝硅材的裝填方法，包括：
提供坩堝，其中該坩堝包括底板以及形成于該底板的一表面上的涂層；
鋪設第一硅料層于該涂層上；
以人工方式對該第一硅料層施壓，以使該第一硅料層在該涂層中形成多個第一孔；以及
鋪設第二硅料層于該第一硅料層上。
9.如權利要求8所述的坩堝硅材的裝填方法，其中所形成的該多個第一孔的孔密度為2個/cm2～100個/cm2。
10.如權利要求8所述的坩堝硅材的裝填方法，其中該人工方式包括以手掌和/或以工具來實施。
11.如權利要求8所述的坩堝硅材的裝填方法，其中形成該多個第一孔于該涂層中時，還包括在該表面中形成多個第二孔，該多個第二孔分別對應該多個第一孔。
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