[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201210460136.1
• 申請日: 2012-11-15
• 公開（公告）號: CN103107157A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 詹淵儒
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于晶片封裝體，且特別是有關于以晶圓級封裝制程所制得的晶片封裝體。

背景技術

晶片封裝制程是形成電子產品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護于其中，使免受外界環境污染外，還提供晶片內部電子元件與外界的電性連接通路。

由于晶片尺寸的縮小與接墊數目的提升，在晶片封裝體中形成電性連接至接墊的線路更為困難。因此，業界亟需改良的晶片封裝技術。

發明內容

本發明提供一種晶片封裝體，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件區，設置于該基底之中或之上；一導電墊，設置于該基底之中或該第一表面上，其中該導電墊電性連接該元件區；一孔洞，自該基底的該第二表面朝該第一表面延伸；一導線層，設置于該基底的該第二表面上，且沿著該孔洞的一側壁朝該基底的該第一表面延伸而電性接觸該導電墊，其中該導線層的位于該導電墊的正上方的一第一部分的厚度小于該導線層的位于該孔洞的該側壁正上方的一第二部分的厚度；以及一絕緣層，設置于該基底與該導線層之間。

本發明還提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：提供一基底，該基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件區及一導電墊分別形成于該基底之中或設置于該基底之上，且該導電墊電性連接該元件區；自該基底的該第二表面移除部分的該基底以形成朝該第一表面延伸的至少一孔洞，該孔洞重疊部分的該導電墊；于該基底的該第二表面上順應性形成一絕緣層，其中該絕緣層延伸至該孔洞的一底部而覆蓋該導電墊；于該絕緣層上形成一第一導電層；移除部分的該第一導電層而露出該孔洞的該底部上的該絕緣層；以該第一導電層為遮罩，蝕刻露出的該絕緣層以露出該導電墊；于該基底的該第二表面上形成一第二導電層，其中該第二導電層延伸至該孔洞中而電性接觸該導電墊；將該第一導電層及該第二導電層圖案化；以及于圖案化后的該第二導電層上形成一第三導電層。

本發明還提供一種晶片封裝體，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件區，設置于該基底之中或之上；一第一導電墊及堆疊于其上的一第二導電墊，設置于該基底之中或該第一表面上，其中該第一導電墊及該第二導電墊電性連接該元件區，且該第一導電墊設置于該第二導電墊與該基底之間；一孔洞，自該基底的該第二表面朝該第一表面延伸；一導線層，設置于該基底的該第二表面上，且沿著該孔洞的一側壁朝該基底的該第一表面延伸而電性接觸該第二導電墊；以及一絕緣層，設置于該基底與該導線層之間。

本發明還提供一種晶片封裝體，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件區，設置于該基底之中或之上；一導電墊，設置于該基底之中或該第一表面上，其中該導電墊電性連接該元件區；一孔洞，自該基底的該第二表面朝該第一表面延伸；一導線層，設置于該基底的該第二表面上，且沿著該孔洞的一側壁朝該基底的該第一表面延伸而電性接觸該導電墊，其中該導線層直接接觸該導電墊的一頂表面及一側表面；以及一絕緣層，設置于該基底與該導線層之間。

本發明還提供一種晶片封裝體，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件區，設置于該基底之中或之上；多個導電墊，設置于該基底之中或該第一表面上，其中該導電墊電性連接該元件區；一孔洞，自該基底的該第二表面朝該第一表面延伸，且該孔洞覆蓋至少兩個所述導電墊；多個導線層，設置于該基底的該第二表面上，且沿著該孔洞的一側壁朝該基底的該第一表面延伸而分別電性接觸該至少兩個所述導電墊；以及一絕緣層，設置于該基底與所述導線層之間。

本發明所述的晶片封裝體及其形成方法可提升晶片封裝體的品質。

附圖說明

圖1A-1H顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。

圖2A-2G顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程立體圖。

圖3A-3H顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。

圖4A及4B分別顯示本發明實施例的晶片封裝體的半成品的立體圖。

附圖中符號的簡單說明如下：