[發(fā)明專利]銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210459932.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103805179A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;王平;陳吉星;黃輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09K11/64 | 分類號(hào): | C09K11/64;H01L33/26 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 銅銥共 摻雜 堿土 硫代鋁酸鹽 發(fā)光 薄膜 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及一種銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法、以及薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動(dòng)發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),已引起了廣泛的關(guān)注,且發(fā)展迅速。目前,研究彩色及至全色TFELD,開(kāi)發(fā)多波段發(fā)光的薄膜,是該課題的發(fā)展方向。但是,可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器的銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜,仍未見(jiàn)報(bào)道。
【發(fā)明內(nèi)容】
基于此,有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法、以及薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
一種銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜,其化學(xué)式為MeAl2S4:xCu2+,yIr3+,其中,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.08,MeAl2S4是基質(zhì),銅元素和銥元素是激活元素,Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。
在優(yōu)選的實(shí)施例中,銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm~400nm。
一種銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法,包括以下步驟:
根據(jù)MeAl2S4:xCu2+,yIr3+各元素的化學(xué)計(jì)量比將MeS,Al2S3,CuS和Ir2S3粉體,經(jīng)過(guò)混合后,在900℃~1300℃下燒結(jié)得到靶材,所述MeS為硫化鋅、硫化鎂、硫化鈣、硫化鍶或硫化鋇;
將襯底裝入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中,并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa;
調(diào)節(jié)基靶間距為45mm~95mm,襯底的溫度為250℃~750℃,工作氣體的流量為10sccm~40sccm,工作壓強(qiáng)為0.5Pa~5Pa,脈沖激光能量為80W~300W,進(jìn)行脈沖激光沉積得到化學(xué)式為MeAl2S4:xCu2+,yIr3+的銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜,其中,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.08,MeAl2S4是基質(zhì),銅元素和銥元素是激活元素,Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。
在優(yōu)選的實(shí)施例中,基靶間距為60mm,襯底的溫度為500℃,工作氣體的流量為20sccm,工作壓強(qiáng)為3Pa,脈沖激光能量為150W。
在優(yōu)選實(shí)施例中,銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm~400nm。
一種薄膜電致發(fā)光器件,該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層,所述發(fā)光層的材料為銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜,該銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜的化學(xué)式為MeAl2S4:xCu2+,yIr3+的銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜,其中,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.08,MeAl2S4是基質(zhì),銅元素和銥元素是激活元素,Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。
在優(yōu)選實(shí)施例中,發(fā)光層的厚度為60nm~400nm。
一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法,包括以下步驟:
提供具有陽(yáng)極的襯底;
在所述陽(yáng)極上形成發(fā)光層,所述發(fā)光層的材料為銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜,該銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜的化學(xué)式為MeAl2S4:xCu2+,yIr3+的銅銥共摻雜堿土硫代鋁酸鹽發(fā)光薄膜,其中,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.08,MeAl2S4是基質(zhì),銅元素和銥元素是激活元素,Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba;
在所述發(fā)光層上形成陰極。
在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述發(fā)光層的制備包括以下步驟:
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