[發(fā)明專利]固態(tài)成像元件及其制造方法和電子設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210459290.7 | 申請日: | 2012-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN103165632A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 荒川伸一 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;褚海英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固態(tài) 成像 元件 及其 制造 方法 電子設(shè)備 | ||
1.一種固態(tài)成像元件,包括:
轉(zhuǎn)移部,所述轉(zhuǎn)移部被配置為將所有像素中由光電轉(zhuǎn)換部同時生成的電荷轉(zhuǎn)移至存儲部并且具有金屬門;以及
光屏蔽部,所述光屏蔽部是通過在溝槽部分中填充金屬而形成的,其中所述溝槽部分是通過在所述轉(zhuǎn)移部周圍挖掘?qū)娱g絕緣膜而形成的。
2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像元件,其中
所述光屏蔽部的尖端部分是以朝著所述轉(zhuǎn)移部周圍的半導(dǎo)體基板伸入內(nèi)襯膜的厚度的方式形成的,其中所述內(nèi)襯膜是在所述層間絕緣膜和所述半導(dǎo)體基板之間形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像元件,其中
所述轉(zhuǎn)移部的金屬門與所述光屏蔽部部分連接。
4.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像元件,其中
在具有以陣列形式排列的多個像素的像素陣列部周圍形成的外圍電路部中形成所述光屏蔽部期間,形成了用作局部互連物的金屬部。
5.一種制造方法,包括:
形成被配置為將所有像素中由光電轉(zhuǎn)換部同時生成的電荷轉(zhuǎn)移至存儲部的轉(zhuǎn)移部的金屬門;
通過在所述轉(zhuǎn)移部周圍挖掘?qū)娱g絕緣膜形成溝槽部分;以及
通過在所述溝槽部分中填充金屬形成光屏蔽部。
6.一種電子設(shè)備,包括:
固態(tài)成像元件,所述固態(tài)成像元件包括:
轉(zhuǎn)移部,所述轉(zhuǎn)移部被配置為將所有像素中由光電轉(zhuǎn)換部同時生成的電荷轉(zhuǎn)移至存儲部并且具有金屬門;以及
光屏蔽部,所述光屏蔽部是通過在溝槽部分中填充金屬而形成的,其中所述溝槽部分是通過在所述轉(zhuǎn)移部周圍挖掘?qū)娱g絕緣膜而形成的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





