[發明專利]光電轉換裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210459210.8
• 申請日: 2008-11-14
• 公開（公告）號: CN102931240A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 山崎舜平;荒井康行
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/0687;H01L31/0725
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 屠長存

1.一種光電轉換裝置，包括：

在支撐襯底上形成的絕緣層；

在所述絕緣層上形成的第一電極；

在所述第一電極上形成的第一雜質半導體層；

在所述第一雜質半導體層上形成的單晶半導體層；

在所述單晶半導體層上形成的非晶半導體層；

在所述非晶半導體層上形成的第二雜質半導體層；以及

在所述第二雜質半導體層上形成的第二電極。

2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中所述單晶半導體層的厚度為0.1μm以上且10μm以下。

3.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，還包括在所述第二雜質半導體層上形成的導電簇。

4.一種光電轉換裝置，包括：

在支撐襯底上形成的絕緣層；

在所述絕緣層上形成的第一電極；

在所述第一電極上形成的第一雜質半導體層；

在所述第一雜質半導體層上形成的單晶半導體層；

在所述單晶半導體層上形成的第二雜質半導體層；

在所述第一雜質半導體層上形成的第三雜質半導體層；

在所述第三雜質半導體層上形成的第一非晶半導體層；

在所述第一非晶半導體層上形成的第四雜質半導體層；

在所述第四雜質半導體層上形成的第五雜質半導體層；

在所述第五雜質半導體層上形成的第二非晶半導體層；

在所述第二非晶半導體層上形成的第六雜質半導體層；以及

在所述第六雜質半導體層上形成的第二電極。

5.根據權利要求4所述的光電轉換裝置，其中所述單晶半導體層的厚度為0.1μm以上且10μm以下。

6.根據權利要求4所述的光電轉換裝置，其中所述單晶半導體層為單晶硅，并且所述第一非晶半導體層和所述第二非晶半導體層為非晶硅。

7.根據權利要求4所述的光電轉換裝置，還包括在所述第二雜質半導體層上形成的導電簇。