[發明專利]發光二極管磊晶結構

無效

• 申請號: 201210459151.4
• 申請日: 2012-11-15
• 公開（公告）號: CN103811613A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 連亞琦;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種磊晶結構，尤其涉及一種發光二極管磊晶結構。

背景技術

參見圖1與圖2，一般的半導體磊晶結構，如發光二極管磊晶結構100，包括依次形成在基板10上的N型半導體層20，活性層30與P型半導體層40。現有的半導體磊晶結構一般呈長方體狀，活性層30的橫截面31為長方形。由于活性層30的橫截面31為長方形，因此，活性層30的四個角落的出光角度均為90度直角，因此，活性層30發出的光，經過活性層30的側面反射后角度固定，從而容易在側面上反復反射，并造成全反射，進而導致側面出光效率低。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種具有較高側面出光效率的發光二極管磊晶結構。

一種發光二極管磊晶結構，其包括N型半導體層、設置在該N型半導體層上的活性層、以及設置在該活性層上的P型半導體層。該活性層的橫截面為平行四邊形，且該平行四邊形的內角均不為直角。

該發光二極管磊晶結構的活性層的橫截面為平行四邊形，活性層發出的光，經側面反射后，光線的反射路徑發生了改變，不容易造成全反射，而是從與其相鄰的側面出射，從而可以提高該發光二極管磊晶結構的側面出光效率。進一步地，當活性層的橫截面的面積不發生變化時，而橫截面的形狀由現有技術中的矩形改變成本發明中的內角均不為直角的平形四邊形時，平形四邊形的周長大于矩形的周長，從而使得該發光二極管磊晶結構的側面出光面積增加，也可以進一步提高側面出光效率。

附圖說明

圖1是現有技術提供的發光二極管磊晶結構的剖面示意圖。

圖2是圖1中光線在活性層中的反射的俯視圖。

圖3是本發明實施例提供的發光二極管磊晶結構的剖面示意圖。

圖4是圖3中光線在活性層中的反射的俯視圖。

主要元件符號說明

發光二極管磊晶結構100、200基板10、50N型半導體層20、60活性層30、70P型半導體層40、80底面201側面202、203、204、205頂面206上表面71下表面72橫截面31、73

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式

圖3所示為本發明實施例提供的發光二極管磊晶結構200。該發光二極管磊晶結構200包括依次形成在基板50上的N型半導體層60、活性層70以及P型半導體層80。