[發明專利]金屬有機化學氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201210459091.6
• 申請日: 2012-11-14
• 公開（公告）號: CN103805967A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 奚明;戶高良二;馬悅;薩爾瓦多;黃占超;林芳;劉強;肖蘊章
• 申請（專利權）人: 理想能源設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 黃海霞

技術領域

本發明涉及化學氣相沉積技術領域，特別涉及一種金屬有機化學氣相沉積裝置。

背景技術

金屬有機化學氣相沉積(MOCVD，Metal-Organic?Chemical?VaporDeposition)是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種化學氣相外延沉積工藝。它以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長的源材料，以熱分解反應方式在石墨盤上進行沉積工藝，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料，上述過程通常在化學氣相沉積裝置中進行，特別是在MOCVD裝置中進行。

下面對現有的MOCVD裝置進行說明，請參考圖11，圖11是現有的金屬有機化學氣相沉積裝置的剖面結構示意圖。

所述金屬有機化學氣相沉積裝置2包括腔體21，設置在腔體21頂部的噴淋組件22，設置在所述腔體21底部的承載部件23，用于加熱所述承載部件23的加熱器25，和驅動所述承載部件23轉動的致動裝置24。所述噴淋組件22與所述承載部件23相對設置，并限定位于二者之間的反應區；所述加熱器25用于加熱所述承載部件23。

所述承載部件23包括下層承載部件231和上層承載部件232。所述上層承載部件232設置在下層承載部件231的上表面，并與所述下層承載部件231的上表面接觸。所述上層承載部件232的上表面用于放置待處理基片。在進行金屬有機化學氣相沉積的過程中，所述加熱器25通過熱輻射加熱所述下層承載部件231，所述下層承載部件231通過所述上層承載部件232與所述下層承載部件231之間的接觸，通過熱傳導的方式加熱所述上層承載部件232，最后使得設置在上層承載部件232上的待處理基片加熱。

在上述加熱過程中，由于所述上層承載部件受熱會發生翹曲；從而使得所述上層承載部件232部分區域與所述下層承載部件231之間脫離接觸，從而使得所述上層承載部件232上表面的溫度不均勻，進而使得待處理基片受熱不均勻。

因此，有必要研發一種能夠使得待處理基片的溫度更加均勻的的金屬有機化學氣相沉積裝置。

發明內容

現有技術的金屬有機化學氣相沉積裝置存在待處理基片受熱不均勻的問題，本發明提供一種能解決上述問題的金屬有機化學氣相沉積裝置。

一種金屬有機化學氣相沉積裝置其包括反應腔、傳輸腔，傳輸裝置，所述反應腔上部具有噴淋組件，所述反應腔下部設置有加熱器，所述噴淋組件和所述加熱器之間設置有承載部件，用以承載基片，所述反應腔還具有致動裝置，所述致動裝置驅動所述承載部件，所述承載部件包括上層承載部件與下層承載部件，所述上層承載部件與下層承載部件之間具有緩沖間隙，所述下層承載部件被所述加熱器以非接觸加熱方式加熱，且所述上層承載部件被所述下層承載部件以非接觸傳熱方式加熱并同時加熱設置在其上的基片，所述傳輸裝置用以在所述傳輸腔和所述反應腔之間傳輸所述上層承載部件。其中，所述上層承載部件對所述基片的加熱可以是接觸方式，也可以是非接觸方式。

與現有技術相比較，本發明的金屬有機化學氣相沉積裝置中，所述上層承載部件與所述下層承載部件之間具有緩沖間隙，使得所述上層基片承載部件被所述下層基片承載部件以非接觸傳熱方式加熱，如此當所述上層承載部件由于受熱發生翹曲時，由于通過非接觸式加熱發生翹曲的上層承載部件不會因翹曲部分未能接觸而受熱減少，從而使得設置在所述上層承載部件上的基片受熱均勻；而且，所述緩沖間隙能夠緩沖所述下層承載部件1221上的溫度變化對所述下層承載部件上表面溫度變化的影響，進一步提高上層承載部件上的基片受熱的均勻性。

附圖說明

圖1是本發明金屬有機化學氣相沉積裝置第一實施方式的結構示意圖。

圖2是圖1所示化學氣相沉積裝置剖面結構示意圖。

圖3是圖2承載部件剖面結構示意圖。

圖4是圖2所示承載部件的俯視結構示意圖。

圖5是圖4所示承載部件沿A-A線的剖面結構示意圖。

圖6是本發明金屬有機化學氣相沉積裝置第二實施方式的承載部件的俯視結構示意圖。

圖7是圖6所示的承載部件沿B-B線的結構示意圖。

圖8是模擬實驗一中如圖6所示的子承載部件與所述下層承載部件之間具有和沒有緩沖間隙時，沿C檢測線的溫度分布圖。

圖9是模擬實驗二的實驗模型圖。

圖10是模擬實驗二的實驗結果溫度分布圖。