[發(fā)明專利]用于雙向高壓ESD防護(hù)的雙載子晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210458417.3
• 申請日: 2012-11-15
• 公開（公告）號: CN103811539A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳信良;杜碩倫
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/06;H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種雙向雙載子晶體管(BJT)，包括：

一p型襯底；

一N+摻雜埋層，其被沉積為鄰接于該襯底；

一第一P型阱區(qū)，其被沉積為鄰接于該N+摻雜埋層；

一第二P型阱區(qū)，其被沉積為相鄰于該N+摻雜埋層；以及

一N型阱區(qū)域，其相鄰于該N+摻雜埋層且圍繞該第一與第二P型阱區(qū)，使得該N型阱區(qū)域的至少一部分是介于該第一與第二P型阱區(qū)之間；

其中該第一與第二P型阱中的每一個都包括至少一N+摻雜板與至少一P+摻雜的板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該第一P型阱包括第一、第二與第三N+摻雜板、第一與第二P+摻雜板、以及第一與第二柵極結(jié)構(gòu)，該第一P+摻雜板被沉積為鄰接于該第一N+摻雜板，該第一柵極結(jié)構(gòu)介于該第一和第二N摻雜板之間，該第二柵極結(jié)構(gòu)介于該第二與第三N+摻雜板，而該第二P+摻雜板被沉積為相鄰于該第三N+摻雜板；以及

又其中該第二P型阱包括第四、第五、與第六N+摻雜板、第三與第四P+摻雜板、以及第三與第四柵極結(jié)構(gòu)，該第三P+摻雜板被沉積為相鄰于該第四N+摻雜板，該第三柵極結(jié)構(gòu)介于該第四與第五N+摻雜板之間，該第四柵極結(jié)構(gòu)介于該第五和第六N+摻雜板之間，而該第四P+摻雜板被沉積為相鄰于該第六N+摻雜板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向雙載子晶體管，更包括第一、第二與第三場效氧化物(FOX)部份，其被沉積為鄰接于該N型阱區(qū)，該第一FOX部份更被沉積為相鄰于該第一P+摻雜板，該第二FOX部份更介于該第二與第三P+摻雜板，而該第三FOX部份被沉積為相鄰于該第四P+摻雜板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙向雙載子晶體管，其中該第一、第二與第三FOX部份是通過一區(qū)域氧化隔離技術(shù)(LOCOS)工藝而被制造。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙向雙載子晶體管，其中該第一、第二與第三FOX部份是通過一淺溝道隔離(STI)工藝而被制造。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向雙載子晶體管，其中該第一至第四柵極結(jié)構(gòu)包括一多晶硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙向雙載子晶體管，其中該多晶硅層是被提供在離子注入時作為一硬式掩模。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該N+埋層包括一n型外延層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該N+埋層包括一深層N型阱。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該N+埋層包括多個疊層的N+埋層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中每一P型阱包括一疊層的P型阱與P+埋層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該第一與第二P型阱是透過P型注入而制造。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該N型阱區(qū)是透過N型注入而制造。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該雙向雙載子晶體管是透過一單層多晶硅(single?poly?process)工藝而制造。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該雙向雙載子晶體管是透過一雙層多晶硅(double?poly?process)工藝而制造。

16.根據(jù)權(quán)利要求16所述的雙向雙載子晶體管，其中該雙向雙載子晶體管是透過一非外延(non-epitaxial)工藝而制造。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向雙載子晶體管，其中該非外延工藝包括一三重阱(triple-well)工藝。