[發明專利]一種用于介質基片上光刻圖形的零層對準標記結構有效
| 申請號: | 201210458275.0 | 申請日: | 2012-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN102929112A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發明(設計)人: | 曹乾濤 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十一研究所 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266000 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 介質 基片上 光刻 圖形 對準 標記 結構 | ||
1.一種用于介質基片上光刻圖形的零層對準標記結構,其特征在于,該零層對準標記結構為設置在介質基片邊緣的直角型縱向通孔,用于水平和垂直方向對準。
2.如權利要求1所述的零層對準標記結構,其特征在于,該直角型縱向通孔為一個直角三角形。
3.如權利要求1所述的零層對準標記結構,其特征在于,該直角型縱向通孔為一個長方形。
4.如權利要求1所述的零層對準標記結構,其特征在于,該直角型縱向通孔為一個直角梯形。
5.如權利要求1所述的零層對準標記結構,所在的介質基片為純度99.6%以上的氧化鋁基片或藍寶石基片,基片的厚度范圍為:0.1mm~0.65mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國電子科技集團公司第四十一研究所,未經中國電子科技集團公司第四十一研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210458275.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種化學用制冷裝置
- 下一篇:可調輸出功率直流逆變器





