[發(fā)明專利]多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210457753.6
• 申請日: 2012-11-14
• 公開（公告）號: CN102912417A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田志恒
• 申請（專利權(quán)）人: 田志恒;田立;田陸
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B28/06;C30B35/00;G01F23/26
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;李靈潔

1.一種多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，包括：

渦流傳感器（7），用于測量坩堝（5）內(nèi)部的固液界面，得到關(guān)于固液界面高度的電信號；

信號處理機（9），與所述渦流傳感器（7）電連接，用于通過所述電信號得出固液界面的高度值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，所述渦流傳感器（7）設(shè)置在多晶硅鑄錠爐（1）內(nèi)的坩堝（5）的底部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，所述渦流傳感器（7）包括外殼、外殼內(nèi)的骨架和纏繞在所述骨架上的線圈；所述線圈包括同心同軸布置的發(fā)射線圈（7a2）和補償線圈（7a3）以及與所述發(fā)射線圈（7a2）和所述補償線圈（7a3）軸向有間隔且同軸布置的接收線圈（7a1）；其中，所述發(fā)射線圈（7a2）、所述補償線圈（7a3）和所述接收線圈（7a1）的導(dǎo)線設(shè)置在所述骨架的線槽中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，所述骨架包括同心同軸且由內(nèi)向外依次布置的內(nèi)層骨架（7b3）、中層骨架（7b2）和外層骨架（7b1），所述發(fā)射線圈（7a2）的導(dǎo)線繞制在所述外層骨架（7b1）的線槽中，所述補償線圈（7a3）的導(dǎo)線繞制在所述中層骨架（7b2）或所述內(nèi)層骨架（7b3）的線槽中，以及所述接收線圈（7a1）的導(dǎo)線繞制在所述內(nèi)層骨架（7b3）、所述中層骨架（7b2）和所述外層骨架（7b1）的線槽中。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，所述骨架包括同心同軸且由內(nèi)向外依次布置的內(nèi)層骨架（7b3）、中層骨架（7b2）和外層骨架（7b1），所述發(fā)射線圈（7a2）的導(dǎo)線繞制在所述外層骨架（7b1）和所述中層骨架（7b2）的線槽中，所述補償線圈（7a3）的導(dǎo)線繞制在所述內(nèi)層骨架（7b3）的線槽中，以及所述接收線圈（7a1）的導(dǎo)線繞制在所述內(nèi)層骨架（7b3）、所述中層骨架（7b2）和所述外層骨架（7b1）的線槽中。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，所述發(fā)射線圈（7a2）和所述補償線圈（7a3）的導(dǎo)線的繞制方向相反。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，所述線槽的截面形狀為弧形或U形。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，所述渦流傳感器（7）從下往上依次穿過所述坩堝（5）的定向凝固塊（6）和所述坩堝（5）的石墨防護板（4）。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐固液界面檢測裝置，其特征在于，還包括位于所述多晶硅鑄錠爐（1）外的電氣室，所述信號處理機（9）設(shè)置在所述電氣室內(nèi)，所述渦流傳感器（7）與所述信號處理機（9）通過信號電纜（8）連接。