[發明專利]具有散熱裝置的LED光源

有效

• 申請號: 201210457647.8
• 申請日: 2012-11-14
• 公開（公告）號: CN102983124A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 柴廣躍;徐健;劉文;李倩珊;馮丹華;廖世東;許文欽;胡永恒;章銳華;熊龍杰
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/64;F21V29/00;F21Y101/02
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

技術領域

本發明涉及一種半導體器件，尤其涉及一種具有散熱裝置的LED光源。

背景技術

由于發光二極管具有低耗電量、低發熱量、壽命長等優點；因此，在電子顯示及照明等領域，發光二極管正在逐漸取代能耗高、壽命短的傳統照明燈具。

發光二極管光源在執行預定的工作時，通常會產生很大的熱量；這些熱量需要散發出去。倘若這些熱量無法有效地被逸散，將會影響到發光二極管光源的正常運行。

DLC（Diamond-like?carbon，類金剛石）鍍膜不但具有良好的導熱系數，且同時在各個方向上具有同樣的導熱能力，因此被廣泛應用于發光二極管光源中進行散熱。

一種現有發光二極管光源包括散熱裝置和發光芯片。散熱裝置包括金屬基板和設置于金屬基板的一側的類金剛石層，發光芯片設置于類金剛石層上。

然而，金屬基板和類金剛石層的熱膨脹系數相差數倍，當發光芯片產生的熱量通過散熱基板散發時，很容易發生類金剛石層自金屬基板上剝離的現象，從而導致發光二極管光源失效。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種類金剛石層與基板結合穩定的LED（light?emitting?diode，發光二極管）光源。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種LED光源，包括散熱裝置、LED芯片以及電極層，散熱裝置包括基板、第一過渡層和類金剛石層，第一過渡層附著于基板和類金剛石層之間，其中，第一過渡層與基板和類金剛石層之間產生的附著力均大于基板與類金剛石層相互附著時產生的附著力，且第一過渡層的熱膨脹系數介于類金剛石層與基板之間，LED芯片設置于類金剛石層上，LED芯片電連接至電極層。

其中，基板的表面具有凹凸結構，第一過渡層和類金剛石層設置于表面上，且形狀與表面相匹配。

其中，基板的表面包括谷部、相對于谷部向基板外側突出的峰部以及傾斜連接谷部和峰部的連接部，LED芯片設置于類金剛石層的對應于谷部的區域上，電極層設置于類金剛石層的對應于峰部的區域上。

其中，LED光源進一步包括反光膜，反光膜設置于類金剛石層的對應于連接部的區域上。

其中，LED光源進一步包括第二過渡層，第二過渡層附著于電極層和類金剛石層之間，第二過渡層與電極層和類金剛石層之間產生的附著力均大于電極層與類金剛石層相互附著時產生的附著力，第二過渡層的熱膨脹系數介于類金剛石層與電極層之間。

其中，LED光源進一步包括環氧樹脂層，環氧樹脂層附著于電極層和第一過渡層之間。

其中，電極層采用厚膜銀漿印刷方式形成于類金剛石層上。

其中，基板是金屬、陶瓷或高導熱塑料。

其中，第一過渡層是鎳、銅、鉻、鈦、硅、氮化鈦、鉻鎢、氮化鉻、碳化鈦中的一種或任意兩種以上所組成的復合層。

其中，第二過渡層包括第一鎳層、銅層和第二鎳層，銅層位于第一鎳層和第二鎳層之間。

本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明LED光源散熱裝置采用第一過渡層連接基板和類金剛石層；且第一過渡層與基板和類金剛石層之間產生的附著力大于基板與類金剛石層相互附著時產生的附著力，第一過渡層的熱膨脹系數介于類金剛石層和基板之間，不但提高了基板和類金剛石層之間的附著力；且三者的熱膨脹系數依次遞增或遞減，能有效改善基板與類金剛石之間因熱膨脹系數相差過大而出現的熱失配問題；因此，類金剛石層與金屬基板的結合良好，能延長LED光源的使用壽命。

附圖說明

圖1是本發明LED光源第一實施例的示意圖；

圖2是本發明LED光源第二實施例的示意圖；

圖3是本發明LED光源第三實施例的示意圖；

圖4是本發明LED光源第四實施例的示意圖；

圖5是本發明LED光源第五實施例的示意圖；

圖6是本發明LED光源第六實施例的示意圖；

圖7是本發明LED光源第七實施例的示意圖。

具體實施方式

參閱圖1，本發明第一實施例LED光源100包括散熱裝置10、LED芯片11、電極層12和過渡層13。散熱裝置10包括基板101、過渡層102和類金剛石層（DLC，Diamond-like?carbon）103。LED芯片設置于類金剛石層103上，電極層12亦設置至類金剛石層103上；且LED芯片11通過導線（未標示）電連接至電極層12。本實施例中，LED芯片11是水平結構的LED芯片。