[發明專利]LED芯片及LED芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201210457469.9
• 申請日: 2012-11-14
• 公開（公告）號: CN103000776A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 柴廣躍;馮丹華;劉文;李倩珊;徐健;闞皞;胡永恒;張菲菲;李耀東
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/00;H01L33/64
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括外延發光體、導熱基板和導熱緩沖層，所述導熱緩沖層設置于所述導熱基板的一側，所述外延發光體鍵合至所述導熱緩沖層，所述導熱緩沖層的平均熱膨脹系數介于所述導熱基板和所述外延發光體之間。

2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述導熱緩沖層包括形成于所述導熱基板上的導熱絕緣層，所述導熱絕緣層的熱膨脹系數介于所述導熱基板和所述外延發光體之間；所述導熱絕緣層上設置至少一個通孔以使所述外延發光體與所述導熱基板電連接。

3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述導熱緩沖層進一步包括第一金屬層，所述第一金屬層填充于所述至少一個通孔中且與所述導熱基板連通，以使所述外延發光體鍵合于所述第一金屬層上且與所述導熱基板電連接。

4.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述導熱緩沖層進一步包括第一金屬層，所述第一金屬層設置于所述導熱絕緣層上且填充所述至少一個通孔以使所述外延發光體與所述導熱基板電連接。

5.根據權利要求3或4所述的LED芯片，其特征在于，所述外延發光體外鍍設第二金屬層，所述第二金屬層鍵合至所述第一金屬層。

6.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述導熱基板具有與所述至少一個通孔對應設置的凸臺，所述凸臺位于所述通孔中以使所述外延發光體鍵合于所述凸起上且與所述導熱基板電連接。

7.根據權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述外延發光體外鍍設第二金屬層，所述第二金屬層鍵合至所述導熱基板。

8.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述導熱絕緣層為類金剛石、金剛石、氮化鋁、氧化鋁、氧化硅、氮化硅中任意一種膜層或以上膜層任意組合的復合膜層。

9.根據權利要求3或4所述的LED芯片，其特征在于，所述第一金屬層為鎳、鈦、鉻、銅、金、銀中的任意一種膜層或以上膜層任意組合的復合膜層。

10.一種LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

于第一基板上形成外延發光體；

將所述外延發光體自所述第一基板上剝離；

于第二基板上形成導熱緩沖層；

將所述剝離第一基板的外延發光體與所述導熱緩沖層鍵合以形成所述LED芯片；其中所述導熱緩沖層的平均熱膨脹系數介于所述外延發光體和所述第二基板之間，所述第二基板的導熱性能優于所述第一基板。