[發明專利]有機發光二極管顯示裝置

有效

• 申請號: 201210457452.3
• 申請日: 2012-11-14
• 公開（公告）號: CN103106873A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 尹重先
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;楊薇

技術領域

本文獻涉及一種能夠補償驅動TFT的閾值電壓的有機發光二極管顯示裝置。

背景技術

隨著信息社會的發展，對于用于顯示圖像的各種類型的顯示裝置的需求正在增加。目前已經使用了各種平板顯示器，如液晶顯示器、等離子體顯示面板和有機發光二極管（OLED）顯示器。在平板顯示器中，OLED顯示器具有包括低電壓驅動、薄外型、寬視角和快速響應時間的優秀特征。尤其地，已經廣泛地使用了用于在以矩陣形式排列的多個像素上顯示圖像的有源矩陣型OLED顯示器。

有源矩陣型OLED顯示器的顯示面板包括以矩陣形式排列的多個像素。各個像素包括用于響應于掃描線的掃描信號來提供數據線的數據電壓的掃描薄膜晶體管（TFT）以及用于根據向柵電極提供的數據電壓對提供給有機發光二極管的電流量進行調節的驅動TFT。向有機發光二極管提供的驅動TFT的漏源電流Ids可以由等式1來表示：

I_ds＝k′·(V_gs-V_th)²

其中，k’表示由驅動TFT的結構和物理特性決定的比例系數，Vgs表示驅動TFT的柵源電壓，并且Vth表示驅動TFT的閾值電壓。

各個像素的驅動TFT的閾值電壓Vth可能由于驅動TFT的劣化所造成的閾值電壓Vth的漂移而具有不同值。在該情況下，驅動TFT的漏源電流Ids取決于驅動TFT的閾值電壓Vth。因此，即使向各個像素提供相同的數據電壓，向有機發光二極管提供的電流Ids對于各個像素也是不同的。因此，出現了即使向各個像素提供相同的數據電壓、從各個像素的有機發光二極管發射的光的亮度也會不同的問題。為了解決該問題，已經提出了用于補償驅動TFT的閾值電壓Vth的各種類型的像素結構。

圖1是示出了連接二極管的閾值電壓補償像素結構的一部分的電路圖。圖1描繪了向有機發光二極管提供電流的驅動TFT?DT和耦接在驅動TFT?DT的柵節點Ng和漏節點Nd之間的感測TFT?ST。感測TFT?ST允許在驅動TFT?DT的閾值電壓感測周期期間驅動TFT?DT的柵節點Ng和漏節點Nd之間的連接，使得由二極管對驅動TFTDT進行驅動。在圖1中，驅動TFT?DT和感測TFT?ST被示出為N型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。

參照圖1，在感測TFT?ST導通的閾值電壓感測周期期間，耦接柵節點Ng和漏節點Nd，由此使柵節點Ng和漏節點Nd浮置在大致相同的電位。如果柵節點Ng和源節點Ns之間的電壓差Vgs大于閾值電壓，則驅動TFT?DT形成電流路徑，直到柵節點Vg和源節點Vs之間的電壓差Vgs達到驅動TFT?DT的閾值電壓Vth為止，因此，柵節點Vg和漏節點Vd的電壓被放電。但是，如果驅動TFT?DT的閾值電壓Vth漂移到負電壓，則因為驅動TFT?DT的閾值電壓Vth低于0V，所以即使柵節點Vg下降到0V，柵節點Vg和源節點Vs之間的電壓差Vgs也無法達到驅動TFTDT的閾值電壓Vth。因此，如果驅動TFT?DT的閾值電壓Vth漂移到負電壓，則無法感測驅動TFT?DT的閾值電壓Vth。負漂移指的是當驅動TFT?DT被實現為N型MOSFET時，使驅動TFT?DT的閾值電壓Vth漂移到低于0V的電壓。當驅動TFT?DT的半導體層由氧化物形成時，負漂移通常出現。

發明內容

已經做出本發明試圖提供一種即使當驅動TFT的閾值電壓漂移到負電壓時，也能夠對驅動TFT的閾值電壓進行感測的有機發光二極管顯示裝置。

根據本發明的一種有機發光二極管顯示裝置包括：上面形成有數據線、第一掃描線、第二掃描線和發射線的顯示面板以及以矩陣形式排列的多個像素，各個像素包括：驅動TFT，該驅動TFT包括耦接至第一節點的柵電極、耦接至第二節點的源電極和耦接至提供高電位電壓的高電位電壓源的漏電極；有機發光二極管，該有機發光二極管包括耦接至所述第二節點的陽極和耦接至提供低電位電壓的低電位電壓源的陰極；第一TFT，該第一TFT響應于所述第一掃描線的第一掃描信號而導通，以將所述第一節點連接至所述數據線；第二TFT，該第二TFT響應于所述第二掃描線的第二掃描信號而導通，以將所述第一節點連接至提供第一基準電壓的第一基準電壓源；第三TFT，該第三TFT響應于所述發射線的發射信號而導通，以將所述第二節點連接至第三節點；第一電容器，該第一電容器耦接在所述第一節點和所述第三節點之間；以及第二電容器，該第二電容器耦接在所述第三節點和所述第一基準電壓源之間。