[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽能電池SiOx-SiNx疊層膜的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210457250.9 | 申請日： | 2012-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN102931284A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳俊清;黃侖;侯澤榮;王金偉;崔梅蘭 | 申請（專利權(quán)）人： | 東方電氣集團(tuán)（宜興）邁吉太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50 |
| 代理公司： | 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214203 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶體 太陽能電池 sio sub sin 疊層膜 制備 方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池SiOx-SiNx疊層膜的制備方法，是對經(jīng)過清洗和制絨，磷擴(kuò)散，等離子刻蝕，去除磷硅玻璃的處理步驟后的晶體硅玻璃鍍減反射膜，其特征在于，是利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法在硅片的兩表面沉積SiOx-SiNx疊層膜，包括如下步驟：
(1)對工藝管抽真空，保持管內(nèi)溫度400-420℃；
(2)將管內(nèi)溫度升到450℃，氮?dú)饬髁繛?slm進(jìn)行吹掃，后抽真空至壓力為100mTorr并保持2min；
(3)壓力測試，保證設(shè)備內(nèi)部壓力50mTorr恒定，保持50s；
(4)在硅片上表面沉積SiOx膜，沉積溫度為450℃，笑氣流量為4.4-4.8slm，硅烷流量為275-310sccm，沉積功率2500瓦，氣壓1500mTorr，沉積時間900-1200s；
(5)在SiOx膜上沉積SiNx膜，沉積溫度為480℃，氨氣流量為5.2-5.8slm，硅烷流量為860-910sccm，沉積功率4800瓦，沉積時間280-300s；
(6)在硅片背面沉積SiOx膜，沉積溫度為沉積溫度為450℃，笑氣流量為4.4-4.8slm，硅烷流量為275-310sccm，沉積功率2500瓦，氣壓1500mTorr，沉積時間900-1200s；
(7)在硅片背面SiOx膜上沉積SiNx膜，沉積溫度為480℃，氨氣流量為5.2-5.8slm，硅烷流量為860-910sccm，沉積功率4800瓦，沉積時間280-300s；
(8)氮?dú)獯祾呃鋮s。?
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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