[發(fā)明專利]一種高效晶體硅太陽電池背面鈍化的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210457016.6 | 申請日： | 2012-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN102931283A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 盧春暉;侯澤榮;吳俊清;王金偉;崔梅蘭 | 申請（專利權(quán)）人： | 東方電氣集團（宜興）邁吉太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214203 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高效 晶體 太陽電池 背面 鈍化 方法 | ||
1.一種高效晶體硅太陽電池背面鈍化的方法，其特征在于它包括以下步驟：
(1)將已刻蝕的硅片反插入PECVD石墨舟，使電池片發(fā)射極面不被鍍膜，送入PECVD爐管；
(2)對爐管抽真空，保持爐內(nèi)溫度420℃，壓力80mTorr，時間為4min；
(3)對爐管進行預處理，溫度升至450℃，氮氣流量為5slm進行吹掃，后抽真空至壓力為1600mTorr并保持3min；
(4)壓力測試，保證設(shè)備內(nèi)部壓力50mTorr恒定，保持0.2~0.5min；
(5)沉積第一層氮氧化硅膜，溫度為460℃，氨氣流量為2.5~3.8slm，硅烷流量為1100~1800sccm，一氧化二氮流量為500~800sccm,射頻功率6000瓦，持續(xù)時間2~5min；
(6)氮氣5slm吹掃30s，抽真空至80mTorr，沉積第二層氮化硅膜，溫度為465℃，氨氣流量為5~8slm，硅烷流量為700~950sccm，射頻功率6000瓦，持續(xù)時間3min；
(7)氮氣吹掃冷卻，溫度為420℃，氮氣流量為6~10slm，壓力為10000mTorr，吹掃時間7~10min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效晶體硅太陽電池背面鈍化的方法，其特征在于步驟(5)中，沉積第一層氮氧化硅膜使用氨氣流量為3.6slm,硅烷流量為1200sccm，一氧化氮流量為500sccm,射頻功率6000瓦，沉積時間為2.5min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效晶體硅太陽電池背面鈍化的方法，其特征在于步驟(6)中沉積第二層氮化硅膜使用氨氣流量為7.8slm，硅烷流量為780sccm，射頻功率6000瓦，沉積時間為3min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東方電氣集團（宜興）邁吉太陽能科技有限公司，未經(jīng)東方電氣集團（宜興）邁吉太陽能科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210457016.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
