[發明專利]一種濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法有效
| 申請號： | 201210457002.4 | 申請日： | 2012-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN102938434A | 公開（公告）日： | 2013-02-20 |
| 發明（設計）人： | 黃侖;盧春暉;吳俊清;史孟杰;王丹萍 | 申請（專利權）人： | 東方電氣集團（宜興）邁吉太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214203 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濕法 氧化 制備 二氧化硅 方法 | ||
1.一種濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于它包括以下步驟：
(1)將已經制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，爐管溫度在10min內加熱至770-850℃，同時通入氮氣流量5-8slm，持續3min；
(2)通入氮氣流量3-7slm，氧氣流量300-500sccm，氮氣攜帶三氯氧磷氣體流量1300-1700sccm,持續15-18min；
(3)通入濕氧流量2700-3000sccm,持續10-12min；
(4)以4℃每分鐘的速率升高爐管溫度至870-890℃，同時通入氮氣流量為10-13slm；
(5)保持溫度在870-890℃，通入濕氧流量為5-7slm，濕氧溫度控制在70-80℃，持續15-17min；
(6)通入氮氣流量為15-20slm，降溫至830℃，即制得二氧化硅掩膜。
2.根據權利要求1所述的濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步驟(1)中爐管內溫度加熱至780℃。
3.根據權利要求1所述的濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步驟(2)中通入氮氣流量為5slm,氧氣流量400sccm,氮氣攜帶的三氯氧磷氣體流量為1500sccm。
4.根據權利要求1所述的濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步驟(3)中濕氧流量為2800sccm，持續時間11min。
5.根據權利要求1所述的濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步驟(5)中溫度恒定在880℃。通入濕氧流量為6slm，濕氧的溫度為75℃，持續時間為16min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
