[發(fā)明專利]一種復(fù)合式納米發(fā)電機及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210455410.6 | 申請日: | 2012-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN103354240A | 公開(公告)日: | 2013-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王中林;林龍;李尙玟;裵晟桓 | 申請(專利權(quán))人: | 國家納米科學(xué)中心 |
| 主分類號: | H01L27/16 | 分類號: | H01L27/16;H01L27/20;H01L35/34;H01L41/22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 納米 發(fā)電機 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種能量轉(zhuǎn)化器件領(lǐng)域,特別涉及一種可以同時將機械能和熱能轉(zhuǎn)化為電能的復(fù)合式納米發(fā)電機。
背景技術(shù)
我們的生活中和環(huán)境中蘊藏著豐富的清潔二次能源,諸如太陽能、風(fēng)能、熱能等等。對這些二次能源的回收利用可以有效的解決能源危機和溫室效應(yīng)引發(fā)的一系列問題,對于人類社會的可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。
近年來,人們研發(fā)出基于氧化鋅納米線的壓電效應(yīng)的納米發(fā)電機,可以用于收集環(huán)境中各種來源的機械能,并將其轉(zhuǎn)化為電能,可以用于驅(qū)動小型電子設(shè)備。另一方面,納米發(fā)電機的一個新的發(fā)展趨勢是復(fù)合式納米發(fā)電機,可以集成各種能量收集的器件,比如壓電納米發(fā)電機、太陽能電池、生物燃料電池等等,在納米發(fā)電機領(lǐng)域,人們已經(jīng)研發(fā)了以上幾種發(fā)電器件之間的集成器件,可以同時收集機械能、光能和生物能源。而在實際生活環(huán)境中,機械能的產(chǎn)生往往同時也伴隨著由于震動和摩擦而耗散的熱能,但是,到目前為止,還沒有能夠?qū)C械能和熱能轉(zhuǎn)化為電能的納米發(fā)電機的相關(guān)報道和研究。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種復(fù)合式納米發(fā)電機,可以同時收集環(huán)境中的機械能和熱能,形成一種新型高效的能量轉(zhuǎn)化集成器件。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種復(fù)合式納米發(fā)電機,包括:電納米發(fā)電機和熱電發(fā)電機,其中,
所述壓電納米發(fā)電機,是基于壓電效應(yīng)的壓電納米發(fā)電機,用于將機械能轉(zhuǎn)化為電能;
所述熱電發(fā)電機,是基于溫差電動勢效應(yīng)的熱電發(fā)電機,用于將熱能轉(zhuǎn)化為電能;
所述熱電發(fā)電機設(shè)置在所述壓電納米發(fā)電機的上方或下方,與所述壓電納米發(fā)電機之間形成上下堆疊結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地,所述壓電納米發(fā)電機包括:
底電極;
所述底電極上的壓電納米結(jié)構(gòu)層;
所述壓電納米結(jié)構(gòu)層上的絕緣層;
所述絕緣層上的頂電極。
優(yōu)選地,所述熱電發(fā)電機設(shè)置在所述壓電納米發(fā)電機的下方,包括:
所述壓電納米發(fā)電機的底電極下的上導(dǎo)熱元件;
所述上導(dǎo)熱元件下的上絕緣層;
所述上絕緣層下的熱電層,所述熱電層包括交替排列的n型熱電元件和p型熱電元件,相鄰所述n型熱電元件與p型熱電元件的頂端或底端電連接,其中,每個n型熱電元件的頂端或底端僅與一個相鄰p型熱電元件電連接,每個p型熱電元件的頂端或底端僅與一個相鄰的n型熱電元件電連接;
所述熱電層下的下絕緣層;
所述下絕緣層下的下導(dǎo)熱元件。
優(yōu)選地,所述熱電發(fā)電機設(shè)置在所述壓電納米發(fā)電機的下方,包括:
所述壓電納米發(fā)電機的底電極下的上絕緣層,其中,所述底電極為所述熱電發(fā)電機的上導(dǎo)熱元件;
所述上絕緣層下的熱電層,所述熱電層包括交替排列的n型熱電元件和p型熱電元件,相鄰所述n型熱電元件與p型熱電元件的頂端或底端電連接,其中,每個n型熱電元件的頂端或底端僅與一個相鄰p型熱電元件電連接,每個p型熱電元件的頂端或底端僅與一個相鄰的n型熱電元件電連接;
所述熱電層下的下絕緣層;
所述下絕緣層下的下導(dǎo)熱元件。
優(yōu)選地,所述熱電發(fā)電機設(shè)置在所述壓電納米發(fā)電機的上方,包括:
所述壓電納米發(fā)電機的頂電極上的下導(dǎo)熱元件;
所述下導(dǎo)熱元件上的下絕緣層;
所述下絕緣層上的熱電層,所述熱電層包括交替排列的n型熱電元件和p型熱電元件,相鄰所述n型熱電元件與p型熱電元件的頂端或底端電連接,其中,每個n型熱電元件的頂端或底端僅與一個相鄰p型熱電元件電連接,每個p型熱電元件的頂端或底端僅與一個相鄰的n型熱電元件電連接;
所述熱電層上的上絕緣層;
所述上絕緣層上的上導(dǎo)熱元件。
優(yōu)選地,所述熱電發(fā)電機設(shè)置在所述壓電納米發(fā)電機的上方,包括:
所述壓電納米發(fā)電機的頂電極上的下絕緣層,其中,所述頂電極為所述熱電發(fā)電機的下導(dǎo)熱元件;
所述下絕緣層上的熱電層,所述熱電層包括交替排列的n型熱電元件和p型熱電元件,相鄰所述n型熱電元件與p型熱電元件的頂端或底端電連接,其中,每個n型熱電元件的頂端或底端僅與一個相鄰p型熱電元件電連接,每個p型熱電元件的頂端或底端僅與一個相鄰的n型熱電元件電連接;
所述熱電層上的上絕緣層;
所述上絕緣層上的上導(dǎo)熱元件。
優(yōu)選地,所述上導(dǎo)熱元件和/或下導(dǎo)熱元件為金屬導(dǎo)熱元件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





