[發明專利]形成焊墊的方法

有效

• 申請號: 201210454789.9
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN103803483A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 姜海濤;郭亮良;鄭超;張校平
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種形成焊墊的方法，其特征在于，包括：

提供待形成焊墊的器件，所述器件包括第一器件層、位于所述第一器件層上的互連層、位于所述互連層上的介質層，所述介質層中具有插栓；所述器件包括第一區域和第二區域，所述互連層作為焊墊的部分在第一區域的上表面低于在第二區域的上表面，第一區域的插栓的高度小于所述介質層的厚度，第二區域的插栓的高度等于所述介質層的厚度；

利用第一干法刻蝕去除第一區域和第二區域中部分高度的插栓；

利用第二干法刻蝕去除第一區域和第二區域中剩余的插栓、第一區域和第二區域上的介質層，暴露出第一區域和第二區域的互連層，暴露的互連層作為焊墊，所述第二干法刻蝕使用的刻蝕氣體為刻蝕介質層時使用的刻蝕氣體。

2.如權利要求1所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述部分高度大于等于插栓高度的60％，小于等于插栓高度的70%。

3.如權利要求1所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述部分高度為大于等于0.9微米，小于等于1.1微米。

4.如權利要求1所述的形成焊墊的方法，其特征在于，利用第一刻蝕去除第一區域和第二區域部分高度的插栓的方法包括：

在所述介質層上形成圖形化的光刻膠層，定義出第一區域和第二區域；

以圖形化的光刻膠層為掩膜，利用第一干法刻蝕去第一區域和第二區域中部分高度的插栓。

5.如權利要求4所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述第二干法刻蝕仍以所述圖形化的光刻膠層為掩膜；

形成焊墊后，灰化去除圖形化的光刻膠層。

6.如權利要求1所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述互連層為鋁互連層。

7.如權利要求1所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述插栓的材料為鍺硅。

8.如權利要求7所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述第一干法刻蝕使用的刻蝕氣體包括氯氣。

9.如權利要求1所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述介質層為單層結構或疊層結構的介質層。

10.如權利要求9所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述疊層結構的介質層包括：氮氧化硅層、位于所述氮氧化硅層上的氧化硅層、位于所述氧化硅層上的富硅氧化物層、位于所述富硅氧化物層上的氮化硅層、位于所述氮化硅層上的四乙基原硅酸鹽。

11.如權利要求10所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述第二干法刻蝕使用的刻蝕氣體包括：CF₄和SF₆。

12.如權利要求1所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述介質層上具有第二器件層，所述第二器件層和所述互連層通過所述介質層中的插栓電連接；

所述方法還包括：在第一干法刻蝕之前，去除第一區域和第二區域中的第二器件層。

13.如權利要求12所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述第二器件層包括：鍺層、位于所述鍺層上的氧化硅層、位于所述氧化硅層上的鍺硅層。

14.如權利要求1~13任一項所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述焊墊為MEMS器件中的焊墊。

15.如權利要求14所述的形成焊墊的方法，其特征在于，所述第一區域為焊墊區，所述第二區域為密封區。