[發(fā)明專利]陣列基板、陣列基板制備方法及顯示器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210454655.7
• 申請(qǐng)日: 2012-11-13
• 公開（公告）號(hào): CN102981320A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦廣奎;柳在健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/133;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，包括形成在基板上的TFT和設(shè)置在基板上的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置有柵絕緣層，其特征在于，所述柵絕緣層的一側(cè)表面上交替排列設(shè)置第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側(cè)表面上交替排列設(shè)置第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對(duì)應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對(duì)應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層兩端邊緣處分別設(shè)置有像素電極連接線和公共電極連接線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設(shè)有過孔，設(shè)置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導(dǎo)通，設(shè)置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導(dǎo)通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，面積較小的電極對(duì)應(yīng)設(shè)置在面積較大的電極的中部。

6.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括以下過程：

在基板上形成TFT以及像素區(qū)域，所述像素區(qū)域?qū)?yīng)形成有柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層的一側(cè)表面上交替排列形成第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側(cè)表面上交替排列形成第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對(duì)應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對(duì)應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在所述柵絕緣層兩端邊緣處分別形成有像素電極連接線和公共電極連接線，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設(shè)有過孔，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導(dǎo)通，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導(dǎo)通。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板制備方法，其特征在于，面積較小的電極對(duì)應(yīng)設(shè)置在面積較大的電極的中部。

10.一種顯示器件，其特征在于，所述顯示器件包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述陣列基板或權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述陣列基板制備方法所制備的陣列基板。