[發明專利]陣列基板、陣列基板制備方法及顯示器件

無效

• 申請號: 201210454655.7
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN102981320A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 秦廣奎;柳在健
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/133;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，包括形成在基板上的TFT和設置在基板上的像素區域，所述像素區域對應設置有柵絕緣層，其特征在于，所述柵絕緣層的一側表面上交替排列設置第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側表面上交替排列設置第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應設置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層兩端邊緣處分別設置有像素電極連接線和公共電極連接線。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設有過孔，設置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導通，設置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導通。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，面積較小的電極對應設置在面積較大的電極的中部。

6.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括以下過程：

在基板上形成TFT以及像素區域，所述像素區域對應形成有柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層的一側表面上交替排列形成第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側表面上交替排列形成第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應設置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。

7.根據權利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在所述柵絕緣層兩端邊緣處分別形成有像素電極連接線和公共電極連接線，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設有過孔，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導通，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導通。

8.根據權利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。

9.根據權利要求8所述的陣列基板制備方法，其特征在于，面積較小的電極對應設置在面積較大的電極的中部。

10.一種顯示器件，其特征在于，所述顯示器件包括權利要求1-5任一項所述陣列基板或權利要求6-9任一項所述陣列基板制備方法所制備的陣列基板。