[發明專利]一種輻射選擇性吸收涂層及其制備方法

有效

• 申請號: 201210454335.1
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN103808049A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 崔銀芳;尹萬里;張敏;王軒;孫守建
• 申請（專利權）人: 北京市太陽能研究所集團有限公司
• 主分類號: F24J2/48
• 分類號: F24J2/48;B32B33/00;C23C14/35
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王朋飛;張慶敏

1.一種輻射選擇性吸收涂層，其特征在于，由從基底到表面依次為過渡層、紅外反射層、吸收層、減反射層的各層組成；

所述吸收層由兩個亞層組成，依次為第一亞層和第二亞層，兩個亞層分別為Mo-SiO₂或不銹鋼-AlN材料所制得，所述第一亞層中金屬Mo或不銹鋼的體積百分比為20-40%，第二亞層中金屬Mo或不銹鋼的體積百分比為10-30%，且第一亞層中金屬含量大于第二亞層中金屬含量。

2.如權利要求1所述的輻射選擇性吸收涂層，其特征在于，所述基底為不銹鋼，所述過渡層為不銹鋼的氧化物層。

3.如權利要求1所述的輻射選擇性吸收涂層，其特征在于，所述紅外反射層為MoCu或AgCu合金層，厚度為50-250nm。

4.如權利要求1所述的輻射選擇性吸收涂層，其特征在于，所述第一亞層和第二亞層的厚度互相獨立地為20-100nm。

5.如權利要求1所述的輻射選擇性吸收涂層，其特征在于，所述減反射層為SiON或AlON層，厚度為20-60nm。

6.制備權利要求1-5任一所述的輻射選擇性吸收涂層的方法，其特征在于，將基底在空氣中氧化制得過渡層；然后使用直流磁控濺射和中頻磁控濺射方法依次制備紅外反射層、吸收層、減反射層。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，制備所述紅外反射層時，采用直流磁控濺射的方法，惰性氣體為反應氣體，濺射氣壓為1.5-3.5×10^-1Pa，靶材料為MoCu或AgCu合金，靶電流為0.5-0.8A，濺射電壓為350-450V。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，制備所述吸收層時，采用Mo靶和Si靶、或不銹鋼靶和Al靶共濺射，惰性氣體和O₂、或惰性氣體和N₂的混合氣體作為反應氣體，濺射氣壓為3.5-4.5×10^-1Pa。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，制備所述第一亞層采用直流磁控濺射的方法，所述Mo靶或不銹鋼靶電流為0.6-0.8A，濺射電壓為300-400V，Si靶或Al靶電流為0.5~0.8A，濺射電壓為300-400V；

制備所述第二亞層采用中頻磁控濺射的方法，所述Mo靶或不銹鋼靶電流為0.3-0.5A，濺射電壓為300-400V，Si靶或Al靶電流為0.5~0.8A，濺射電壓為300-400V。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，制備所述減反射層采用中頻磁控濺射或直流磁控濺射的方法，惰性氣體和O₂、或惰性氣體和N₂的混合氣體作為反應氣體，濺射氣壓為3.5-4.5×10^-1Pa，Si靶或Al靶電流為0.3~0.5A，濺射電壓為280-320V。