[發明專利]有機EL裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201210454062.0
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN103123955A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 遠藤太郎;佐藤信彥
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李穎

技術領域

本發明涉及有機EL裝置的制造方法。

背景技術

在有機EL裝置的制造方法中使用光刻法將有機化合物層構圖的技術是已知的。日本專利No.4145571公開了以下方法：在電荷注入層上形成發光層、在發光層上以預定的圖案形成光刻膠層、然后在不去除電荷注入層的情況下通過干蝕刻去除沒有被光刻膠層覆蓋的區域中的發光層，由此執行構圖。根據該方法，不必每當發光層經受構圖時重新沉積電荷注入層，并且，只需要一個沉積電荷注入層的步驟。因此，制造效率較高，并且還可減少材料的損耗。

有機EL裝置包括多個有機EL元件，每個有機EL元件具有包含發光層的有機化合物層被夾在一對電極之間的結構。在有機EL元件中，空穴和電子分別從一個電極和從另一電極被注入到有機化合物層中，并且，空穴和電子在發光層中重新結合以產生光。除了發光層以外，有機化合物層可包含已知的功能層。在日本專利No.4145571中，為了以平衡的方式將電荷注入到發光層中并提高發光效率，設置電荷注入層作為功能層。

日本專利No.4145571公開了通過涂覆方法沉積有機化合物或無機氧化物作為電荷注入層。關于通過涂覆方法形成的膜，在一些情況下，會在該膜中殘留在涂覆處理中使用的諸如溶劑的有機物和用于膜材料的前體等?？梢韵嘈?，當這種電荷注入層暴露于蝕刻氣體時，殘留于表面上的有機物與蝕刻氣體反應，從而導致表面輪廓的粗糙化或表面的膜性質的變化。因此，當如日本專利No.4145571那樣通過涂覆方法形成電荷注入層時，在通過干蝕刻將有機化合物層構圖的步驟中，電子注入層的表面會粗糙化或者膜性質會變化，從而導致電荷注入效率的降低。即使當在這種電荷注入層上層疊發光層時，也不可能改善有機EL裝置的發光特性。

發明內容

本發明提供具有優異的發光特性的有機EL裝置的制造方法，其中，不必對于有機化合物層的各構圖重新沉積電荷注入層，并且，可從電極有效地注入電荷。

在本發明的一個方面中，提供一種有機EL裝置的制造方法，所述有機EL裝置包括第一電極、第二電極、以及夾在第一電極與第二電極之間的電荷注入層和有機化合物層，該方法包括：通過真空成膜處理在第一電極上形成由無機化合物構成的電荷注入層的步驟（i）；在電荷注入層上形成有機化合物層的步驟（ii）；在有機化合物層上的預定區域中選擇性地形成掩模層的步驟（iii）；以及通過利用干蝕刻去除不具有掩模層的區域中的有機化合物層而露出電荷注入層的步驟（iv），其中，步驟（ii）～（iv）被重復兩次或更多次。

根據本發明，通過真空成膜處理形成由無機化合物構成的電荷注入層。通過真空成膜處理形成的由無機化合物構成的電荷注入層即使當暴露于蝕刻氣體時也不可能被蝕刻或變質。因此，即使在通過干蝕刻將有機化合物層構圖之后也可保持良好的電荷注入性能，并且，能夠制造具有優異的發光特性的有機EL裝置。

參照附圖閱讀示例性實施例的以下描述，本發明的其它特征將變得清晰。

附圖說明

圖1A～1L是表示根據本發明的第一實施例的有機EL裝置的制造方法中的步驟的斷面圖。

圖2A～2K是表示根據本發明的第二實施例的有機EL裝置的制造方法中的步驟的斷面圖。

圖3A～3D是表示根據例子2的有機EL裝置的制造方法中的步驟中的一些的斷面圖。

圖4是示意性地表示根據本發明的有機EL裝置的透視圖。

具體實施方式

將參照附圖描述根據本發明的有機EL裝置的實施例。對于沒有特別示出或描述的部分，可以應用公知的技術或本領域中眾所周知的技術。應當注意，以下描述的實施例僅是例子，并且，本發明不限于此?？梢越M合使用實施例。

第一實施例

圖1A～1L是表示根據本發明的第一實施例的有機EL裝置的制造方法中的步驟的斷面圖。有機EL裝置在基板10上具有顯示不同的顏色的第一子像素3、第二子像素4和第三子像素5。圖4是示意性地表示有機EL裝置的透視圖。基板10具有顯示區域8和外部連接端子9。在顯示區域8中二維地排列第一子像素3、第二子像素4和第三子像素5。外部連接端子9通過互連線（未示出）與電路（未示出）電連接。