[發明專利]一種鎢插塞與金屬布線的制作方法

在審

• 申請號: 201210454044.2
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN103811412A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 王者偉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐靈;常亮

1.一種鎢插塞與金屬布線的制作方法，包括步驟：鎢插塞制作工藝、金屬布線制作工藝以及光刻膠去除工藝，所述鎢插塞制作工藝是在半導體襯底上制作接觸孔并填充形成鎢插塞，所述金屬布線制作工藝將所述接觸孔通過金屬布線覆蓋，使得位于接觸孔下方的半導體襯底與位于接觸孔上方的該金屬布線通過鎢插塞相連接，所述光刻膠去除工藝是將殘余在金屬布線上的光刻膠去除，其特征在于：所述去除光刻膠工藝包括步驟：

干法去膠，利用等離子體對光刻膠進行轟擊；

水蒸氣烘烤，將上述干法去膠過程中積累在金屬布線和接觸孔中的電荷進行釋放；

濕法去膠，利用清洗液去除剩余光刻膠。

2.如權利要求1所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述水蒸汽烘烤采用干法去膠工藝中使用的等離子體反應腔體。

3.如權利要求1所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述水蒸汽烘烤采用100攝氏度以上的水蒸汽，烘烤時間為30秒至60秒。

4.如權利要求1所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述鎢插塞制作工藝包括步驟：

提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底上沉積第一介質層和第二介質層；

在該第一介質層和第二介質層中形成接觸孔；

在該接觸孔中沉積鎢，形成鎢插塞。

5.如權利要求4所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述第一介質層為低k材料或超低k材料。

6.如權利要求4所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述第二介質層為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種。

7.如權利要求4所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述鎢插塞制作工藝還包括步驟在接觸孔形成以后，在該具有接觸孔圖形的襯底表面沉積一層阻擋層。

8.如權利要求7所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述阻擋層為鈦和氮化鈦的復合層。

9.如權利要求1所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述金屬布線制作工藝包括步驟：

在制作完鎢插塞的半導體襯底上沉積一層金屬層；

在該金屬層上旋涂一層光刻膠；

對所述光刻膠進行圖形化工藝，使該光刻膠形成金屬布線所需的圖形；

以光刻膠上的圖形為掩模，對金屬層進行刻蝕，將光刻膠上的圖形轉移到金屬層上，形成金屬布線。

10.如權利要求9所述的鎢插塞與金屬布線的制作方法，其特征在于：所述金屬層為鋁、銅、銀或鎳中的一種。